[發明專利]改善對位偏孔的方法在審
| 申請號： | 202110901334.6 | 申請日： | 2021-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN113811082A | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發明（設計）人： | 關俊軒;劉勇;許杏芳 | 申請（專利權）人： | 安捷利美維電子（廈門）有限責任公司;廣州美維電子有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 王忠浩 |
| 地址： | 361026 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 對位 方法 | ||
1.一種改善對位偏孔的方法，其特征在于，包括以下步驟：
孔位選取步驟：選取待加工板件的孔位坐標，并標識處理；
一次加工步驟：檢測需要加工的孔位尺寸，標識為D1，選取鉆孔規格為D2的鉆頭進行加工，使D1大于D2，生成一次加工板件；
二次加工步驟：選取鉆孔規格為D1的鉆頭加工一次加工板件，生成二次加工板件；
沉銅電鍍步驟：將二次加工板件沉銅電鍍處理，生成電鍍板件；
對位步驟：將電鍍板件進行貼膜、對位曝光顯影，蝕刻褪膜在PCB板上露出所需圖形。
2.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述孔位選取步驟中，檢測標識處理的孔位坐標是否正確，若是，進行下一步，若否，重新選取并標識處理。
3.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述一次加工步驟中，使D2＝0.6D1-0.9D1。
4.如權利要求3所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述一次加工步驟中，使D2＝0.8D1。
5.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述一次加工步驟中，檢測一次加工板件的孔位坐標是否滿足要求，若是，進行下一步，若否，返工或報廢處理。
6.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述一次加工步驟中，在規格為D2的鉆頭進行加工之前，檢查坐標是否正確。
7.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述一次加工步驟中，在規格為D2的鉆頭進行加工完成之后，選取規格為D3的鉆頭加工相應孔位，使D1＞D3＞D2。
8.如權利要求7所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述一次加工步驟中，在規格為D3的鉆頭進行加工完成之后，選取規格為D4的鉆頭加工相應孔位，使D1＞D4＞D3＞D2。
9.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述二次加工步驟中，沿一次加工步驟的鉆孔的軸心線加工一次加工板件。
10.如權利要求1所述的改善對位偏孔的方法，其特征在于：在所述二次加工步驟中，檢驗二次加工板件的對位孔的質量是否滿足要求，若是，進行下一步，若否，返工或報廢處理。
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