[發明專利]離子注入裝置及離子束被照射體

在審

• 申請號: 202110901135.5
• 申請日: 2018-05-29
• 公開（公告）號: CN113658842A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 松下浩;大北義明
• 申請（專利權）人: 住友重機械離子科技株式會社
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/304;H01J37/302;H01J37/147
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌

1.一種離子注入裝置，其特征在于，具備：

離子源，構成為生成包含第1非放射性核種的離子的離子束；

射束線，構成為支承具有第1被照射區域及第2被照射區域的離子束被照射體；及

控制裝置，其構成為，在所述離子束的能量位于第1能量區域時選擇所述第1被照射區域，在所述離子束的能量位于比所述第1能量區域高的第2能量區域時選擇所述第2被照射區域，

所述射束線具備相對位置調整機構，該相對位置調整機構構成為，以使所述第1非放射性核種的離子入射到所選擇的所述被照射區域的方式，調整所述離子束被照射體與所述離子束之間的相對位置，

所述第1被照射區域由包含與所述第1非放射性核種不同的第2非放射性核種的第1固體材料形成，

所述第2被照射區域由以比所述第1固體材料低的濃度包含所述第2非放射性核種或不包含所述第2非放射性核種的第2固體材料形成。

2.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第1非放射性核種與所述第2非放射性核種為，在所述離子束入射至所述離子束被照射體時，通過所述第1非放射性核種與所述第2非放射性核種的核反應能夠產生放射線或者放射性核種。

3.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第1非放射性核種為¹¹B或¹⁰B，所述第2非放射性核種為¹²C。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

還具備加速器，該加速器能夠將通過所述離子源生成的所述離子束加速為至少4MeV的超高能量。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第2被照射區域具備母材及支承于母材的表層部，所述表層部由所述第2固體材料形成。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第2固體材料包含原子序數大于所述第2非放射性核種的元素。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子束被照射體具備與所述第1非放射性核種不同的離子種類用的被照射區域，

所述控制裝置構成為，對于不包含所述第1非放射性核種的離子束，選擇所述不同的離子種類用的被照射區域。

8.一種離子注入裝置，其特征在于，具備：

射束線，構成為支承離子束被照射體，該離子束被照射體具有分配為加速為第1能量區域的離子束用的第1被照射區域以及分配為加速為比所述第1能量區域高的第2能量區域的離子束用的第2被照射區域；及

控制裝置，其構成為，在入射至所述離子束被照射體的離子束的能量位于第1能量區域時選擇所述第1被照射區域，在所述離子束的能量位于所述第2能量區域時選擇所述第2被照射區域，

所述射束線具備相對位置調整機構，該相對位置調整機構構成為，以使所述離子束入射到所選擇的所述被照射區域的方式，調整所述離子束被照射體與所述離子束之間的相對位置。

9.根據權利要求8所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第2能量區域位于4MeV以上的超高能量區域。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子束被照射體具備分配為加速為所述第1能量區域的離子束用的多個第1被照射區域，所述多個第1被照射區域分別被分配不同能量的離子束。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子束被照射體具備分配為加速為所述第2能量區域的離子束用的多個第2被照射區域，所述多個第2被照射區域分別被分配不同能量的離子束。