[發(fā)明專利]閃速存儲(chǔ)器件中的編程方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110901088.4
• 申請日: 2019-08-28
• 公開（公告）號: CN114067881A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王瑜;李爽;阮慶;侯春源;湯強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/12;G11C16/34
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 劉健;張殿慧

1.一種在編程循環(huán)中對閃速存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程驗(yàn)證的方法，其中，所述閃速存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)串，所述存儲(chǔ)串包括多個(gè)依次相連的存儲(chǔ)單元，每個(gè)所述存儲(chǔ)單元連接至多個(gè)字線中的對應(yīng)字線，所述多個(gè)字線包括所選字線和未選字線，所述所選字線對應(yīng)于目標(biāo)存儲(chǔ)單元，以及所述未選字線對應(yīng)于非目標(biāo)存儲(chǔ)單元，并且其中，所述未選字線包括第一字線，所述第一字線與所述所選字線相鄰，并且所述第一字線對應(yīng)的存儲(chǔ)單元在所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元之后被編程，所述方法包括：

對所述第一字線以外的所述未選字線施加越過電壓；

對所述所選字線施加驗(yàn)證電壓；以及

對所述第一字線進(jìn)行浮置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在對所述所選字線施加所述驗(yàn)證電壓之前施加預(yù)脈沖電壓，并且在對所述第一字線進(jìn)行浮置之前施加所述預(yù)脈沖電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

對所述第一字線施加預(yù)脈沖電壓；

在施加所述預(yù)脈沖電壓之后，將所述第一字線放電到系統(tǒng)電壓電平；以及

在將所述第一字線放電至所述系統(tǒng)電壓電平之后，對所述第一字線進(jìn)行浮置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

對所述第一字線施加預(yù)脈沖電壓；

在對所述第一字線施加所述預(yù)脈沖電壓之后，將所述第一字線放電至地電壓電平；以及

在將所述第一字線放電至所述地電壓電平之后，對所述第一字線進(jìn)行浮置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述編程循環(huán)進(jìn)一步包括按照從源極線晶體管到位線晶體管的順序進(jìn)行編程，其中，所述第一字線位于所述所選字線的接近位線晶體管的一側(cè)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述編程循環(huán)進(jìn)一步包括在所述編程驗(yàn)證之后對所述多個(gè)字線中的每個(gè)字線放電。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述編程循環(huán)進(jìn)一步包括如果具有大于目標(biāo)電壓的閾值電壓的存儲(chǔ)單元的數(shù)量大于預(yù)定數(shù)量則結(jié)束所述編程循環(huán)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述編程循環(huán)進(jìn)一步包括在所述編程驗(yàn)證之前，對所述所選字線施加編程電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述編程循環(huán)進(jìn)一步包括提高所述編程電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：如果編程循環(huán)計(jì)數(shù)達(dá)到最大循環(huán)計(jì)數(shù)，則結(jié)束所述編程循環(huán)。

11.一種閃速存儲(chǔ)器件，包括：

存儲(chǔ)串，所述存儲(chǔ)串包括多個(gè)依次相連的存儲(chǔ)單元；

多個(gè)字線，每個(gè)所述存儲(chǔ)單元連接至多個(gè)字線中的對應(yīng)字線，所述多個(gè)字線包括所選字線和未選字線，所述所選字線對應(yīng)于目標(biāo)存儲(chǔ)單元，以及所述未選字線對應(yīng)于非目標(biāo)存儲(chǔ)單元，并且其中，所述未選字線包括第一字線，所述第一字線與所述所選字線相鄰，并且所述第一字線對應(yīng)的存儲(chǔ)單元在所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元之后被編程；

控制單元，其被配置為控制所述閃存存儲(chǔ)器件在編程循環(huán)中的編程驗(yàn)證階段進(jìn)行以下操作：

對所述第一字線以外的所述未選字線施加越過電壓；

對所述所選字線施加驗(yàn)證電壓；以及

對所述第一字線進(jìn)行浮置。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃速存儲(chǔ)器件，所述控制單元被進(jìn)一步配置為在對所述所選字線施加所述驗(yàn)證電壓之前施加預(yù)脈沖電壓，并且在對所述第一字線進(jìn)行浮置之前施加所述預(yù)脈沖電壓。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃速存儲(chǔ)器件，所述控制單元被進(jìn)一步配置為進(jìn)行以下操作：

對所述第一字線施加預(yù)脈沖電壓；

在施加所述預(yù)脈沖電壓之后，將所述第一字線放電到系統(tǒng)電壓電平；以及

在將所述第一字線放電至所述系統(tǒng)電壓電平之后，對所述第一字線進(jìn)行浮置。