[發明專利]一種基于有序H-TiO2 在審
| 申請號: | 202110893698.4 | 申請日: | 2021-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN113611869A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | 劉家琴;李玉磊;吳玉程;余彥 | 申請(專利權)人: | 合肥工業大學 |
| 主分類號: | H01M4/66 | 分類號: | H01M4/66;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/38;H01M10/054;H01M10/42;C25D11/26;C25D3/42;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 合肥輝達知識產權代理事務所(普通合伙) 34165 | 代理人: | 汪守勇 |
| 地址: | 230009 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 有序 tio base sub | ||
1.一種基于有序H-TiO2納米管陣列的鈉金屬負極材料,其特征在于,Ti片基體表面有一層有序排列的H-TiO2納米管陣列,鈉金屬均勻沉積于有序H-TiO2納米管陣列中。
2.如權利要求1所述的基于有序H-TiO2納米管陣列的鈉金屬負極材料,其特征在于:所述H-TiO2納米管的內徑為130~150nm,管長為3~5μm,管壁厚度為15~20nm,有序陣列中的納米管之間平均間隙為15~30nm。
3.一種制備如權利要求1或2所述基于有序H-TiO2納米管陣列的鈉金屬負極材料的方法,其特征在于:首先采用電化學陽極氧化法在Ti片基體上生長有序TiO2納米管陣列,并對其進行晶化退火,然后對晶化的有序TiO2納米管陣列進行電化學氫化改性,得到有序H-TiO2納米管陣列,最后采用恒流電沉積法將金屬鈉沉積到有序H-TiO2納米管陣列中,制得基于有序H-TiO2納米管陣列的鈉金屬負極材料。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,選用的Ti片純度為99.7%。
5.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所采用的電化學陽極氧化法在Ti片基體表面生長有序TiO2納米管陣列的步驟為:先將一定尺寸的Ti片依次在丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗并干燥待用;配制NH4F濃度為0.20~0.25mol·L-1、去離子水體積比為12~15%的NH4F-去離子水-乙二醇溶液作為電解液;以Ti片作為陽極,石墨片作為陰極,在冰水浴條件下,60V恒壓氧化反應3~4h;將制備的樣品先后使用乙二醇和去離子水洗凈、烘干,獲得有序TiO2納米管陣列。
6.如權利要求3所述的方法,其特征在于,對Ti片表面生長的有序TiO2納米管陣列進行晶化退火的步驟為:將制備的有序TiO2納米管陣列/Ti片在450~600℃溫度下保溫2~3h,升溫速率為2~5℃·min-1。
7.如權利要求3所述的方法,其特征在于,有序TiO2納米管陣列的電化學氫化改性步驟為:將晶化的有序TiO2納米管陣列作為陰極,石墨片作為陽極,0.1~0.2mol·L-1Na2SO4溶液作為電解液,電壓為6~10V,恒壓氫化時間為40~60min,然后用去離子水洗凈、烘干,獲得有序H-TiO2納米管陣列。
8.如權利要求3所述的方法,其特征在于,采用恒流電沉積法將金屬鈉沉積到有序H-TiO2納米管陣列中的步驟為:以高氯酸鈉NaClO4為溶質,以體積比為1∶1的碳酸乙烯酯EC和碳酸二甲酯DMC為溶劑,配制濃度為1mol·L-1的溶液并添加5wt%的氟代碳酸乙烯酯FEC作為電解液;以有序H-TiO2納米管陣列為工作電極,以金屬鈉箔為對電極,以GF/D玻璃微纖維膜為隔膜,在氬氣保護的手套箱中組裝電池;然后,在0.5~3mA·cm-2電流密度下,沉積1~6mAh·cm-2面積容量的鈉金屬到有序H-TiO2納米管陣列中,制備獲得一種基于有序H-TiO2納米管陣列的鈉金屬負極材料。
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