[發(fā)明專利]一種殼體表面處理工藝及其裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110889353.1
• 申請日: 2021-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN113560740B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪楠周
• 申請（專利權(quán)）人: 廣泰精密科技(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): B23K26/362
• 分類號(hào): B23K26/362;B23K26/70;B23P15/00;C25D11/04;C25D11/16;C25D11/24
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 黃新民

1.一種殼體表面處理工藝，其特征在于，包括如下步驟：

(1)根據(jù)所需要的圖形調(diào)整振鏡的參數(shù)；

(2)確定振鏡的第一雕刻參數(shù)，沿著第一雕刻軌跡對(duì)殼體的第一表面進(jìn)行第一次激光，得到第一深度刻痕；

(3)確定振鏡的第二雕刻參數(shù)，沿著第二雕刻軌跡對(duì)殼體的第一表面進(jìn)行第二次激光，得到第二深度刻痕；其中第一深度刻痕和第二深度刻痕部分重疊；

(4)確定振鏡的第三雕刻參數(shù)，沿著第三雕刻軌跡對(duì)非與第一深度刻痕重疊的第二深度刻痕的區(qū)域上進(jìn)行第三次激光，得到第三深度刻痕；

(5)將殼體浸入電解液進(jìn)行陽極氧化處理；

(6)將陽極氧化過的殼體浸入染料溶液中進(jìn)行染色處理；

其中，第一深度刻痕上未進(jìn)行第二次激光的區(qū)域作為第一區(qū)域，第一區(qū)域的刻痕深度為h1，第一深度刻痕和第二深度刻痕重疊的區(qū)域作為第二區(qū)域，第二區(qū)域的刻痕深度為h1+h2；

相鄰第一深度刻痕和第二深度刻痕重疊的區(qū)域的殼體的第一表面進(jìn)行第二次激光和第三次激光后的區(qū)域作為第三區(qū)域，第三區(qū)域的刻痕深度為h2+h3，其中，第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域是依次相連的，其中，h1h3。

2.如權(quán)利要求1所述的殼體表面處理工藝，其特征在于，還包括將染色處理后的殼體進(jìn)行封孔處理。

3.如權(quán)利要求1所述的殼體表面處理工藝，其特征在于，步驟(1)中根據(jù)所需要的圖形調(diào)整振鏡的參數(shù)具體為：對(duì)存儲(chǔ)的圖形進(jìn)行分析，若圖形為同一顏色的深淺漸變，先采集顏色最淺的圖形，生成第一雕刻軌跡，依次根據(jù)顏色由淺入深程度生成第二雕刻軌跡、第三雕刻軌跡...第N雕刻軌跡，其中第一雕刻軌跡、第二雕刻軌跡、第三雕刻軌跡、第N雕刻軌跡根據(jù)顏色深淺程度確定第一雕刻參數(shù)、第二雕刻參數(shù)、第三雕刻參數(shù)...第N雕刻參數(shù)，第一雕刻參數(shù)、第二雕刻參數(shù)、第三雕刻參數(shù)...第N雕刻參數(shù)，存儲(chǔ)于存儲(chǔ)模塊中。

4.如權(quán)利要求1所述的殼體表面處理工藝，其特征在于，陽極氧化處理時(shí)，電解液為硫酸溶液，硫酸溶液的濃度為160-240g/L，電解液溫度為18-20℃。

5.一種殼體表面處理裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的殼體表面處理工藝，包括底座、振鏡、移動(dòng)平臺(tái)、X移動(dòng)軸、Y移動(dòng)軸、Z移動(dòng)軸、攝像模塊、顯示器和控制裝置；

所述移動(dòng)平臺(tái)用于放置待加工產(chǎn)品，所述移動(dòng)平臺(tái)與X移動(dòng)軸、Y移動(dòng)軸連接，通過X移動(dòng)軸、Y移動(dòng)軸使移動(dòng)平臺(tái)在X方向偏移和Y方向偏移；

所述振鏡與所述Z移動(dòng)軸連接，用于調(diào)整振鏡的高度；

所述X移動(dòng)軸、Y移動(dòng)軸、Z移動(dòng)軸均與電機(jī)連接，所述控制裝置與所述電機(jī)電連接；

所述攝像模塊用于當(dāng)振鏡對(duì)移動(dòng)平臺(tái)的待加工產(chǎn)品進(jìn)行激光雕刻時(shí)，用于拍攝視頻，所述攝像模塊與所述控制裝置連接，將拍攝的視頻傳輸于所述控制裝置；

所述顯示器包括存儲(chǔ)模塊、雕刻軌跡生成模塊、顯示屏，所述存儲(chǔ)模塊用于存儲(chǔ)用戶所要雕刻的圖形；

所述顯示屏與所述存儲(chǔ)模塊、所述雕刻軌跡生成模塊和攝像模塊連接，用于顯示存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)的圖形，雕刻軌跡生成模塊生成的振鏡所需雕刻的軌跡和所述攝像模塊拍攝的激光實(shí)際雕刻軌跡；

所述雕刻軌跡生成模塊用于根據(jù)所述存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)的圖形生成振鏡所需雕刻的軌跡，并將此振鏡所需雕刻的軌跡傳輸于所述控制裝置，所述控制裝置控制振鏡按照雕刻軌跡生成模塊生成所需雕刻的軌跡進(jìn)行激光雕刻。

6.如權(quán)利要求5所述的殼體表面處理裝置，其特征在于，所述控制裝置還包括比較模塊，所述比較模塊用于實(shí)時(shí)比較攝像模塊拍攝的實(shí)際的振鏡雕刻軌跡與所述雕刻軌跡生成模塊生成的振鏡所需雕刻的軌跡是否重合，若攝像模塊拍攝的實(shí)際的振鏡雕刻軌跡偏離所需雕刻的軌跡，則控制裝置控制振鏡停止，并根據(jù)所需雕刻的軌跡調(diào)整控制振鏡的參數(shù)。

7.如權(quán)利要求5所述的殼體表面處理裝置，其特征在于，所述雕刻軌跡生成模塊用于根據(jù)所述存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)的圖形生成振鏡所需雕刻的軌跡，其具體為，對(duì)存儲(chǔ)的圖形進(jìn)行分析，若圖形為同一顏色的深淺漸變，先采集顏色最淺的圖形，生成第一雕刻軌跡，依次根據(jù)顏色由淺入深程度生成第二雕刻軌跡、第三雕刻軌跡...第N雕刻軌跡，其中第一雕刻軌跡、第二雕刻軌跡、第三雕刻軌跡...第N雕刻軌跡根據(jù)顏色深淺程度確定第一雕刻參數(shù)、第二雕刻參數(shù)、第三雕刻參數(shù)...第N雕刻參數(shù)，第一雕刻參數(shù)、第二雕刻參數(shù)、第三雕刻參數(shù)...第N雕刻參數(shù)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)模塊中。