[發明專利]一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝

在審

• 申請號: 202110888989.4
• 申請日: 2021-08-04
• 公開（公告）號: CN113555328A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 吳奇斌;吳瑩瑩;李華
• 申請（專利權）人: 江蘇尊陽電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/495
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務所(普通合伙) 32309
• 代理人: 周青

本發明涉及一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，先在金屬基板的背面蝕刻出產品要求的外形尺寸，在背面蝕刻區域刷絕緣材料，直接在引線框制造時完成產品的外觀制作，再在金屬基板的正面時進行化學蝕刻，可以讓封裝單位直接省略背面蝕刻工序，為不能做金屬蝕刻和沒有條件刷絕緣材料的封裝單位提供支持，符合當地的環保排放，保護環境的同時節省能源，拓展了封裝單位的區域限制，促進了行業發展。

技術領域

本發明涉及一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

傳統的芯片封裝結構的制作方式是：采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制作，而引線框的背面則在封裝過程中再進行蝕刻。目前半導體行業飛速發展，社會關注度很高，對于本行業的各方面要求特別是環保方面越來越高。而現有的工藝還存在以下問題：多次化學蝕刻帶來環保問題，對封裝廠的生產地區造成限制，封裝效率低，均需要新的封裝工藝解決以上問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，背面先蝕刻再刷絕緣層，再正面蝕刻，為不能做金屬蝕刻和沒有刷絕緣膠設備的封裝單位提供支持，符合當地環保排放。

本發明解決上述問題所采用的技術方案為：一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，包括如下步驟：

步驟一、取金屬基板；

步驟二、金屬基板表面預鍍銅層；

步驟三、光刻作業

在步驟二的金屬基板正面及背面貼覆或印刷可進行曝光顯影的光阻材料，并利用曝光顯影設備對金屬基板表面的光阻材料進行曝光、顯影與去除部分光阻材料；

步驟四、背面蝕刻

對步驟三中金屬基板的背面完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻，背面按照產品需求蝕刻出固定的形狀和深度；

步驟五、刷絕緣材料

在完成步驟四的金屬基板的背面蝕刻處刷一層絕緣材料；

步驟六、正面蝕刻

在完成步驟五的金屬基板的正面完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻，正面蝕刻出需要的形狀；

步驟七、電鍍金屬線路層

在步驟六中化學蝕刻后的金屬基板的正面與管腳相對應的位置電鍍一層金屬線路層，形成相應的基島和引腳；

步驟八、裝片

在步驟七形成的基島正面植入芯片，在基島正面涂覆導電或是不導電的粘結物質后將芯片與基島接合，在芯片正面與引腳正面之間進行鍵合金屬線作業；

步驟九、塑封

在步驟八中的裝有芯片的金屬基板的一面采用塑封料進行塑封；

步驟十、電鍍金屬層

在經過步驟九后的含有外管腳的金屬基板的背面電鍍金屬層；

步驟十一、切割成品。

一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，步驟二中的銅層厚度在2~10微米。

一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，步驟七中的金屬線路層材料可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金、鎳鈀金，可以導電的金屬物質都可以使用，并不局限銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金、鎳鈀金等金屬材料，電鍍方式可以是化學沉積或是電解電鍍方式。

一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，步驟九中采用的塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂設備噴涂方式或是用貼膜方式；所述塑封料可以采用有填料物質或是無填料物質的環氧樹脂。

一種背面先蝕的封裝結構的封裝工藝，步驟十中的金屬線路層材料可以是錫。

與現有技術相比，本發明的優點在于：