[發明專利]一種鉆石整理器及具有其的研磨機臺

在審

• 申請號: 202110888933.9
• 申請日: 2021-08-03
• 公開（公告）號: CN113478392A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 田國軍;崔凱
• 申請（專利權）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號: B24B53/017
• 分類號: B24B53/017
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 鄭越

本發明涉及半導體研磨工具技術領域，具體涉及一種鉆石整理器及具有其的研磨機臺。一種鉆石整理器，包括：本體；支撐結構，設于所述本體上，且與所述本體滾動連接，所述支撐結構具有弧形承載面，所述弧形承載面上設有多個容納腔；多個金剛石，分別固定在相應的所述容納腔中，且部分暴露在外。本發明提供了一種打磨效率高，對研磨墊的清潔效果好的鉆石整理器及具有其的研磨機臺。

技術領域

本發明涉及半導體研磨工具技術領域，具體涉及一種鉆石整理器及具有其的研磨機臺。

背景技術

化學機械平坦化(CMP)是一種常見于半導體制程中的技術，化學機械平坦化系使用機械力搭配化學腐蝕對加工過程中的晶圓或其他半導體元件的表面進行平坦化處理。在半導體的化學機械平坦化制程中，常見的技術系利用研磨墊接觸晶圓或是其他半導體元件的表面，以對晶圓或是其他半導體元件利用機械力進行研磨，在研磨的同時一并搭配化學腐蝕的研磨液使用，以通過化學反應與物理機械力來移除晶圓或其他半導體元件表面的雜質或不平坦結構。

隨著5G的逐步應用，它所具有的超高速率、超低延時、超高密度等優點，使物聯網、人工智能、無人駕駛等新興技術迅猛發展。這就要求生產5G技術的芯片具有高效率，低能耗等特點。隨著半導體芯片制造技術的發展，200mm及以上晶圓的化學機械平坦化工藝在芯片生產中的作用和要求也就越來越高。這對CMP研磨機臺的性能要求也是越來越嚴格，包括效率、穩定性等參數。目前困擾CMP晶圓研磨的各種缺陷包括大劃傷、小劃傷和表面不良等，這些缺陷可以是由外界掉入，在研磨過程中由于耗材損耗而掉到研磨工藝中的研磨副產物形成的結晶等造成。這些副產物會隨著鉆石整理器在研磨墊上的打磨而清除，但是隨著鉆石整理器和研磨墊使用時間的增加，兩者之間的摩擦力降低，打磨效率隨之降低，清潔效果變差。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中的鉆石整理器隨著使用時間的延長，打磨效率降低，影響對研磨墊的清潔效果的缺陷，從而提供一種打磨效率高，對研磨墊的清潔效果好的鉆石整理器及具有其的研磨機臺。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種鉆石整理器，包括：

本體；

支撐結構，設于所述本體上，且與所述本體滾動連接，所述支撐結構具有弧形承載面，所述弧形承載面上設有多個容納腔；

多個金剛石，分別固定在相應的所述容納腔中，且部分暴露在外。

可選地，多個金剛石與所述弧形承載面之間形成的夾角大小不同。

可選地，多個容納腔呈行列分布，且處于同一列的金剛石與所述弧形承載面之間形成的夾角相同，相鄰兩列的金剛石與所述弧形承載面之間形成的夾角不同。

可選地，相鄰兩個所述容納腔之間的距離相等。

可選地，所述支撐結構為圓柱體。

可選地，所述支撐結構包括軸承和設于所述軸承中的滾軸，所述容納腔成型在所述滾軸的側壁上。

可選地，金剛石通過燒結、電鍍、澆注或焊接方式固定在所述容納腔中。

可選地，所述支撐結構沿所述本體的運動方向設有多個。

可選地，相鄰兩個所述支撐結構之間的距離相等。

本發明還提供了一種研磨機臺，包括所述的鉆石整理器。

本發明技術方案，具有如下優點：