[發(fā)明專利]一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110888673.5 | 申請日： | 2021-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN113708084A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊宏艷;李正凱;梅梓洋;魏小玉;苑立波 | 申請（專利權(quán)）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 開口 諧振 表面 紅外 寬帶 吸波器 | ||
1.一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：包括開口諧振環(huán)(1)，硅層(2)，氮化硅層(3)，二氧化硅層(4)，金屬銀鏡(5)。氮化硅層(3)上鋪有周期排列的開口諧振環(huán)(1)，每個單元周期的開口諧振環(huán)(1)由兩個完全一致的銀半圓環(huán)(1-1、1-3)和一根過兩銀半圓環(huán)圓心的銀條帶(1-2)連接，銀條帶(1-2)位于單元結(jié)構(gòu)的正中心，平行于x軸，連接兩銀半圓環(huán)(1-1、1-3)；所有的開口諧振環(huán)單元結(jié)構(gòu)均在氮化硅層上呈方陣周期排列。x方向極化的入射光從硅層2的上表面垂直向下(z軸正方向)入射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：開口諧振環(huán)的兩銀半圓環(huán)完全一致，且關(guān)于y軸對稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：開口諧振環(huán)的銀條帶位于單元結(jié)構(gòu)的正中心，平行于x軸，連接兩銀半圓環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：開口諧振環(huán)高度介于10nm～60nm。
5.據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：開口諧振環(huán)線寬介于10nm～60nm。
6.據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：開口諧振環(huán)單元周期寬度介于1050nm～1300nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于銀開口諧振環(huán)超表面的中紅外超寬帶吸波器，其特征在于：環(huán)境折射率介于1～1.65。
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