[發(fā)明專(zhuān)利]包括多個(gè)溝槽的半導(dǎo)體裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110886763.0
• 申請(qǐng)日: 2021-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114068696A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 克里斯蒂安·菲利普·桑多;馬泰奧·達(dá)伊內(nèi)塞
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/739
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;陳煒

1.一種半導(dǎo)體裝置(100)，包括：

從第一主表面(106)延伸到半導(dǎo)體本體(104)中的多個(gè)溝槽(102)，其中，

所述多個(gè)溝槽(102)中的第一組溝槽(1021)包括柵電極(1081)，所述多個(gè)溝槽(102)中的第二組溝槽(1022)包括源電極(1082)，并且所述多個(gè)溝槽(102)中的第三組溝槽(1023)包括輔助電極(1083)；以及

所述源電極(1082)經(jīng)由源極布線(112)和輔助電極(1083)電耦接至源極接觸區(qū)(110)，并且所述源極布線(112)和所述輔助電極(1083)串聯(lián)電連接在所述源極接觸區(qū)(110)與所述源電極(1082)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(100)，其中，所述源極布線(112)和所述源極接觸區(qū)(110)是圖案化布線層的分離部分。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，其中，所述第二組溝槽(1022)中的溝槽(102)的數(shù)量與所述第三組溝槽(1023)中的溝槽(102)的數(shù)量之比在100到100000的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，其中，所述源極布線(112)平行于所述源極接觸區(qū)(110)的至少兩個(gè)邊延伸。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，其中，所述源極布線(112)橫向地圍繞所述源極接觸區(qū)(110)的周長(zhǎng)的至少四分之一。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，還包括柵極布線(122)，其中，所述源極布線(112)布置在所述柵極布線(122)與所述源極接觸區(qū)(110)之間，并且所述柵極布線(122)平行于所述源極布線(112)的至少兩個(gè)邊延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置(100)，

還包括第二源極布線(124)，其中，所述第二源極布線(124)與所述源極接觸區(qū)(110)并接，并且所述源極布線(112)布置在所述第二源極布線(124)與所述源極接觸區(qū)(110)之間，并且完全地或者主要地被所述第二源極布線(124)和所述源極接觸區(qū)(110)橫向包圍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置(100)，還包括布置在所述第二源極布線(124)與所述第一主表面(106)之間的多個(gè)接觸部(116)，其中，所述多個(gè)接觸部(116)將多個(gè)臺(tái)面區(qū)域(114)電連接至所述第二源極布線(124)，并且其中所述多個(gè)臺(tái)面區(qū)域(114)中的每個(gè)臺(tái)面區(qū)域被所述多個(gè)溝槽(102)中的相鄰溝槽橫向限定。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，其中，所述第三組溝槽(1023)中的輔助電極(1083)并聯(lián)連接在所述源極布線(112)與所述源極接觸區(qū)(110)之間，并且其中，并聯(lián)連接的輔助電極(1083)的總電阻在所述柵電極(1081)與柵極端之間的電阻乘以所述第一組溝槽(1021)中的所有溝槽的軸向延伸的總和與所述第二組溝槽(1022)中的所有溝槽的軸向延伸的總和之比的50到500倍的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，還包括由所述第一組溝槽(1021)中的溝槽(102)和所述第二組溝槽(1022)中的溝槽(102)橫向限定的臺(tái)面區(qū)域(114)，其中，所述臺(tái)面區(qū)域包括源極區(qū)域(128)。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(100)，其中，所述輔助電極(1083)沿所述多個(gè)溝槽(102)的軸向方向的每單位長(zhǎng)度的電導(dǎo)小于所述柵電極(1081)沿所述多個(gè)溝槽(102)的軸向方向的每單位長(zhǎng)度的電導(dǎo)。