[發明專利]一種光伏組件加壓層壓系統及其加壓層壓方法在審
| 申請號: | 202110883241.5 | 申請日: | 2021-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN113611777A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | 孫華建;傅飛云 | 申請(專利權)人: | 常州清陽光伏新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048 |
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| 地址: | 213161 江蘇省常州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組件 加壓 層壓 系統 及其 方法 | ||
本發明涉及一種光伏組件加壓層壓系統及其加壓層壓方法,加壓層壓系統包括上蓋和承載臺,其中上蓋包括上腔室和下腔室,上腔室中均勻設置有若干個加熱單元,下腔室通過連接管與氣體裝置相連通;承載臺包括傳送帶和承載板,傳送帶和承載板上皆開設有通孔。加壓層壓方法主要是當待封裝的光伏組件經預熱系統傳送至加壓層壓系統后,氣體裝置向下腔室內充入氣體并按照工藝要求保持下腔室內氣壓穩定,在經過一定時間保壓后,上蓋升起,光伏組件經傳送帶傳送出加壓層壓系統。采用熱風加熱待封裝的光伏組件使其受熱更均勻,省去了需經高壓釜二次封裝的步驟,降低能耗的同時也提高了封裝效率,保證了產品良率。此外,取消了真空泵且不使用硅膠板,結構簡單便于日常維保。
技術領域
本發明涉及層壓技術領域,尤其是涉及一種光伏組件加壓層壓系統及其加壓層壓方法。
背景技術
隨著傳統不可再生能源的日益枯竭以及新能源技術的不斷發展成熟,太陽能作為一種清潔能源,具有無污染、取材方便、利用成本低廉等優勢,因此受到了廣泛關注和高度重視。光伏組件是利用太陽能發電的核心部分,而其生產能耗關系到利用太陽能發電是否確實能夠起到節能減排的作用,如果光伏組件制造過程中所消耗的能源大于或等于甚至略微小于光伏組件全壽命的發電量,那么利用太陽能發電降低能耗、減少污染其本身就是一個偽命題,如何減少光伏組件制造過程中所消耗的能源對于整個光伏產業的發展顯得極其重要。
光伏組件在制造過程中必需經過層壓合片的過程,層壓系統的能耗在光伏組件生產全過程的能源消耗中占有很大比重。在如圖1所示,現有層壓系統的結構包括:上蓋1和承載臺2,上蓋1可相對承載臺2沿豎直方向升降,承載臺2的上方設置有傳送帶2-1,通過傳送帶2-1將待層壓的光伏組件5傳送至上蓋1的下方,此時上蓋1下降與承載臺2蓋合,設置在上蓋1內的硅膠板6與上蓋1形成上腔室1-1,硅膠板6與承載臺2之間形成下腔室1-2,氣體裝置通過連接管4與上腔室1-1相連接并對上腔室1-1充氣迫使硅膠板6下壓對光伏組件5產生下壓力,與此同時通過連接管4與下腔室1-2相連接的真空泵開始對下腔室1-2抽真空,設置在承載臺2內的加熱單元3融化光伏組件5中的膠膜,下壓的硅膠板6與抽真空下腔室1-2的雙重作用下,完成光伏組件5層壓合片工作的第一步,經過一定的工藝時間后上蓋1升起,光伏組件5經傳送帶2-1傳送至層壓系統外在冷卻后還需放入高壓釜中再次進行加熱后的二次層壓封裝方能排出光伏組件5中的膠膜融化所產生的氣泡達到比較好的透光性進而得到合格的光伏組件5。
綜上所述,現有的層壓系統在層壓封裝光伏組件5的過程中,存在著如下問題:
1、層壓封裝的作業條件要求高:首先,設置在上蓋1內的硅膠板6需與上蓋1緊密結合,否則在使用過程中出現漏氣的情況將極大的影響光伏組件5的層壓封裝,此外因為需要對下腔室1-2抽真空,所以對于下腔室1-2的氣密性要求也比較高;其次,硅膠板6長期處于高溫高壓的工作環境中,極易發生老化龜裂,需要購買耐高溫抗老化的硅膠板6才能保證作業節拍降低設備的維保頻率。
2、層壓封裝的能耗高:光伏組件5在經過現有的層壓系統封裝后還需要再通過高壓釜進行二次封裝才能得到良率較高的組件產品,生產光伏組件5的能源消耗較大。
3、對層壓封裝組件的形狀要求高:由于現有的層壓系統是通過硅膠板6向光伏組件5施壓從而實現光伏組件5的層壓封裝,硅膠板6雖然具有一定的柔韌性但是進行非平面光伏組件5的層壓封裝時,壓碎組件導致光伏組件5報廢的情況時有發生,一方面降低了產品良率,另一方面也造成了資源浪費增加了生產成本。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:為了克服現有技術中層壓系統作業條件要求高、能耗高、對層壓封裝組件的形狀要求高的問題,提供一種光伏組件加壓層壓系統及其加壓層壓方法。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





