[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置在審
| 申請號: | 202110881844.1 | 申請日: | 2021-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN114068302A | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發明(設計)人: | 宮島啟介;真柄啟二;片山貴志 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 王蕊;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區堀*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
本發明提供一種基板處理方法及基板處理裝置?;逄幚矸椒òú襟E(S51)、步驟(S52)、及步驟(S6)。在步驟(S51)中,在將浸漬于沖洗液(71)中的基板(W)從沖洗液(71)中提起后,使表面張力小于沖洗液(71)的有機溶劑附著于基板(W),并將基板(W)浸于貯存于腔室(51)內的槽(53)中的沖洗液(71)中。在步驟(S52)中,從沖洗液(71)中提起基板(W)。在步驟(S6)中,向所提起的基板(W)所存在的腔室(51)內供給表面張力小于沖洗液(71)的有機溶劑的蒸汽。
技術領域
本發明涉及一種基板處理方法及基板處理裝置。
背景技術
專利文獻1中所記載的基板處理裝置在將基板浸漬于貯存有沖洗液的處理槽內而進行表面清洗后,將基板提起至置于異丙醇(isopropyl alcohol,IPA)等有機溶劑氣體環境下的腔室內,將基板加以干燥(例如,專利文獻1)。在所述情形時,通過將存在于構成基板表面的圖案的結構物與結構物之間的沖洗液置換為表面張力小的有機溶劑,而抑制結構物的坍塌。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2007-12859號公報
發明內容
發明所要解決的問題
然而,近年來,基板表面的圖案的微細化進一步發展。因此,存在難以將存在于基板表面的結構物與結構物之間的空間的沖洗液置換為有機溶劑的可能性。
本發明是鑒于所述課題而完成,其目的在于提供一種能夠將存在于形成于基板表面的結構物與結構物之間的空間的沖洗液有效地置換為有機溶劑的基板處理方法及基板處理裝置。
解決問題的技術手段
根據本發明的一方面,基板處理方法包括:將浸漬于沖洗液中的基板從所述沖洗液中提起后,使表面張力小于所述沖洗液的第一有機溶劑附著于所述基板,并且將所述基板浸于貯存于腔室內的槽中的沖洗液中的步驟;從所述沖洗液中提起所述基板的步驟;及向所述提起的基板所存在的所述腔室內供給表面張力小于所述沖洗液的第二有機溶劑的蒸汽的步驟。
本發明的基板處理方法優選為還包括在將所述基板浸于所述沖洗液中的所述步驟之前向所述腔室內供給所述第一有機溶劑的蒸汽的步驟。優選為在將所述基板浸于所述沖洗液中的所述步驟中,使所述基板下降,而將附著有所述第一有機溶劑的所述基板浸于所述沖洗液中。
在本發明的基板處理方法中,優選為在供給所述第一有機溶劑的蒸汽的所述步驟中,利用所述第一有機溶劑的蒸汽在所述沖洗液的液面形成所述第一有機溶劑的膜。
本發明的基板處理方法優選為還包括在將所述基板浸于所述沖洗液中的所述步驟之前,對貯存于所述槽中的所述沖洗液直接供給所述第一有機溶劑,由此在所述沖洗液的液面形成所述第一有機溶劑的膜的步驟。優選為在將所述基板浸于所述沖洗液中的所述步驟中,使所述基板下降,而將所述基板浸于形成了所述第一有機溶劑的膜的所述沖洗液中。
在本發明的基板處理方法中,優選為交替執行多次將所述基板浸于所述沖洗液中的所述步驟與提起所述基板的所述步驟。
在本發明的基板處理方法中,優選為在提起所述基板且為最后執行的所述步驟中,從所述沖洗液中提起所述基板時的所述基板的上升速度最小。
在本發明的基板處理方法中,優選為將所述基板浸于所述沖洗液中時的所述基板的下降速度大于從所述沖洗液中提起所述基板時的所述基板的上升速度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





