[發明專利]一種集成CMOS電路的熱電堆傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 202110879773.1
• 申請日: 2021-08-02
• 公開（公告）號: CN113639877A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 劉永燦;游冠軍
• 申請（專利權）人: 無錫宏芯傳感科技有限公司
• 主分類號: G01J5/12
• 分類號: G01J5/12;G01J5/14;G01J5/02;G01J5/04;G01J5/08
• 代理公司: 合肥方舟知識產權代理事務所(普通合伙) 34158
• 代理人: 朱榮

1.一種集成CMOS電路的熱電堆傳感器，包括管座(3)，所述管座(3)上安裝有管帽(4)、光敏元件(2)，所述管座(3)上穿設有多個引腳(1)，所述引腳(1)與光敏元件(2)電性連接，所述管帽(4)上設有濾光片(5)，其上還設有供光線進入所述濾光片(5)上的透光槽(6)，其特征在于，所述光敏元件(2)包括襯底(201)、絕緣層(202)、熱電偶層(204)、導熱層(205)、支撐部(206)，所述絕緣層(202)設于襯底(201)上，所述熱電偶層(204)沿絕緣層(202)的中心線對稱設于絕緣層(202)上表面，且所述絕緣層(202)相對兩側的熱電偶層(204)端部之間具有空隙，所述絕緣層(202)上設有與空隙相連通的空缺部(207)，其上表面開設有多個導熱槽(203)，所述支撐部(206)設于襯底(201)上表面，且位于所述空缺部(207)內，所述導熱層(205)搭接在多個熱電偶層(204)表面，且所述支撐部(206)對導熱層(205)進行縱向支撐。

2.根據權利要求1所述的一種集成CMOS電路的熱電堆傳感器，其特征在于，所述透光槽(6)內壁上設有聚光罩(7)，所述聚光罩(7)內徑自上而下依次遞增。

3.根據權利要求1所述的一種集成CMOS電路的熱電堆傳感器，其特征在于，所述管帽(4)內壁上鉸接有夾持座(8)，所述夾持座(8)上開設有供濾光片(5)卡合的、缺口形式的夾持槽，所述夾持座(8)由驅動單元驅動其沿與管帽(4)的鉸接處上下翻轉。

4.根據權利要求3所述的一種集成CMOS電路的熱電堆傳感器，其特征在于，所述驅動單元包括水平穿設于管帽(4)上的螺紋環(10)，所述螺紋環(10)上螺紋穿設有驅動螺桿(9)，所述驅動螺桿(9)穿入管帽(4)內的一端螺紋套裝有絲母環(11)，所述絲母環(11)上鉸接有鉸鏈桿(12)，所述鉸鏈桿(12)遠離絲母環(11)的一端與夾持座(8)鉸接。

5.一種集成CMOS電路的熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、在襯底(201)上表面刻蝕絕緣層(202)；

步驟2、在絕緣層(202)上表面刻蝕多個橫跨其寬度方向的導熱槽(203)；

步驟3、在襯底(201)上粘接支撐部(206)；

步驟4、在絕緣層(202)上表面形成多個熱電偶層(204)；

步驟5、在多個熱電偶層(204)上表面形成導熱層(205)。