[發明專利]陣列基板、陣列基板的制備方法以及顯示屏有效
| 申請號: | 202110879278.0 | 申請日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN113745244B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 盧昭陽;金秉勛;鄭浩旋 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;G09F9/35 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 鄭雪梅 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道石龍社區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 以及 顯示屏 | ||
本發明提供了一種陣列基板、陣列基板的制備方法以及顯示屏,陣列基板包括有效顯示區以及非有效顯示區,非有效顯示區設置有柵極驅動電路,有效顯示區設置有有效顯示區陣列基板公共電極,還包括陣列基板公共電極走線,陣列基板公共電極走線設于柵極驅動電路上方,陣列基板公共電極走線和有效顯示區陣列基板公共電極在有效顯示區和非有效顯示區交界處橋接。本發明可以在顯示面板的非有效顯示區形成更窄的邊框。
技術領域
本發明涉及顯示屏技術領域,特別涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法以及顯示屏。
背景技術
陣列基板分為非有效顯示區和有效顯示區,現有技術中,在非有效顯示區設置有彩膜基板公共電極、柵極驅動電路、非有效顯示區陣列基板公共電極,有效顯示區設置有有效顯示區陣列基板公共電極,非有效顯示區陣列基板公共電極和有效顯示區陣列基板公共電極連接。這種設置在目前的面板設計中較為常見,其彩膜基板公共電極、柵極驅動電路、非有效顯示區陣列基板公共電極依次設置于非有效顯示區,致使非有效顯示區較寬,也即導致面板的邊框較寬。
發明內容
本發明的主要目的是提供一種陣列基板、陣列基板的制備方法以及顯示屏,旨在解決顯示面板的非有效顯示區較寬的技術問題。
為實現上述目的,本發明提出的一種陣列基板,所述陣列基板包括有效顯示區以及非有效顯示區,所述非有效顯示區設置有柵極驅動電路,所述有效顯示區設置有有效顯示區陣列基板公共電極,還包括陣列基板公共電極走線,陣列基板公共電極走線設于柵極驅動電路上方,陣列基板公共電極走線和有效顯示區陣列基板公共電極在有效顯示區和非有效顯示區交界處橋接。
優選地,在有效顯示區和非有效顯示區交界處設有過孔,所述過孔的底部和所述有效顯示區陣列基板公共電極相抵接;所述陣列基板公共電極走線延伸至過孔的底部。
優選地,所述有效顯示區陣列基板公共電極設于所述有效顯示區內,并橫跨所述非有效顯示區和所述有效顯示區的交界處,所述陣列基板公共電極走線在所述非有效顯示區和所述有效顯示區陣列基板公共電極連接;所述陣列基板公共電極走線為銦錫氧化物導電膜。
優選地,所述陣列基板公共電極走線的厚度為600至700微米。
優選地,所述柵極驅動電路包括由下至上依次設于基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導體層、第二金屬層、絕緣層、色阻層、平坦層。
優選地,所述色阻層厚度為2.4至2.6微米。
優選地,在有效顯示區陣列基板公共電極上設有柵極絕緣層、半導體層、第二金屬層、絕緣層、色阻層、平坦層。
為了實現上述目的,本申請還提供一種陣列基板的制備方法,用于制備上述陣列基板,所述方法包括:
在陣列基板的非有效顯示區形成柵極驅動電路,在陣列基板的有效顯示區形成有效顯示區陣列基板公共電極,在有效顯示區和非有效顯示區交界處預留有過孔,過孔底部抵接有效顯示區陣列基板公共電極;
在所述柵極驅動電路上沉積銦錫氧化物導電膜,且銦錫氧化物導電膜延伸至過孔內。
優選地,所述在陣列基板的非有效顯示區形成柵極驅動電路,在陣列基板的有效顯示區形成有效顯示區陣列基板公共電極,在有效顯示區和非有效顯示區交界處預留有過孔,過孔底部抵接有效顯示區陣列基板公共電極的步驟包括:
在陣列基板上形成第一金屬層;
再在第一金屬層上形成柵極絕緣層;
再在柵極絕緣層上形成半導體層以及第二金屬層;
再在柵極絕緣層、半導體層以及第二金屬層上形成絕緣層;
再在絕緣層上形成色阻層;
再在色阻層上形成平坦層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





