[發明專利]一種監控鎢CMP工藝出現的晶邊鎢殘留的方法在審
| 申請號： | 202110877913.1 | 申請日： | 2021-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN113611625A | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 陶仁峰;李協吉;李儒興 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 監控 cmp 工藝 出現 晶邊鎢 殘留 方法 | ||
1.一種監控鎢CMP工藝出現的晶邊鎢殘留的方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供檢測晶圓，在所述檢測晶圓的表面沉積氧化物膜層，所述氧化物膜層覆蓋所述檢測晶圓的中心以及所述邊緣區域的表面；
對氧化物膜層執行鎢CMP工藝，并測試晶圓邊緣區域處對氧化物膜層的研磨速率；以及
根據檢測晶圓邊緣氧化層研磨速率來監控鎢CMP機臺的狀態，據此判斷產品晶圓是否會在邊緣區域存在大量的鎢殘留。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，提供檢測晶圓，在所述檢測晶圓的表面形成氧化物膜層，所述氧化物膜層均勻覆蓋在所述檢測晶圓的中心區域的表面以及所述邊緣區域的表面，包括：
提供所述檢測晶圓，所述檢測晶圓的表面為平面；
在所述檢測晶圓的表面形成氧化物膜層，所述氧化物膜層以均勻厚度分布在所述檢測晶圓的各位置處。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述檢測晶圓為空白晶圓。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述邊緣區域包括與所述檢測晶圓的中心點距離為90mm～99mm的區域。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物膜層的厚度不小于
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述檢測晶圓的氧化物膜層執行化學機械拋光工藝，并監控所述檢測晶圓的邊緣區域處對所述氧化物膜層的研磨速率，包括：
對所述檢測晶圓的氧化物膜層執行化學機械拋光工藝，并測試所述檢測晶圓與所述檢測晶圓圓心距離90mm～99mm區域的研磨速率。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，以不同的機械作用力對所述檢測晶圓的氧化物膜層執行化學機械拋光工藝，并監控所述檢測晶圓與所述檢測晶圓圓心距離90mm～99mm區域的研磨速率。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，根據檢測晶圓邊緣氧化層研磨速率來監控鎢CMP機臺的狀態，據此判斷產品晶圓是否會在邊緣區域存在大量的鎢殘留，包括：
根據氧化物膜層的研磨速率，以及所述晶圓邊緣的鎢殘留的狀況，得出最終的研磨壓力區間并優化研磨工藝；
在優化研磨工藝后，根據檢測晶圓邊緣的氧化物膜層的研磨速率來監控鎢CMP機臺的狀態，據此判斷在所述CMP機臺執行CMP工藝的產品晶圓的晶圓邊緣區域是否存在大量的鎢殘留的風險。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
