[發明專利]一種待打線封裝芯片產品的清洗方法

在審

• 申請號: 202110876103.4
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113611592A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 彭芹;鄭強;陳紹吉;李寧
• 申請（專利權）人: 成都先進功率半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/60;H01L21/67;B08B3/12
• 代理公司: 四川力久律師事務所 51221
• 代理人: 張迪

1.一種待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、將待打線封裝芯片產品置于清洗劑中，在超聲作用下進行清洗；

步驟2、將所述步驟1清洗后的待打線封裝芯片產品在去離子水中進行浸泡處理；

步驟3、將所述步驟2浸泡后的待打線封裝芯片產品進行脫水處理；

步驟4、將所述步驟3脫水處理后的產品進行烘干處理，清洗完成。

2.根據權利要求1所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟1中，清洗劑是水劑型清洗劑。

3.根據權利要求1所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟1中，超聲功率為1～3w/L。

4.根據權利要求3所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟1中，超聲清洗的溫度不超過60℃，超聲清洗的時間不超過20min。

5.根據權利要求1所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟1中，在超聲作用下清洗過程中，清洗劑為循環流動的，流量為50L/min～100L/min。

6.根據權利要求1所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟2中，浸泡處理的時間為1min～5min。

7.根據權利要求1所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟3中，脫水處理是采用溶劑浸泡的方式對產品進行脫水處理。

8.根據權利要求7所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述溶劑是無水乙醇和正溴丙烷中的至少一種。

9.根據權利要求7所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟3中，溶劑浸泡的時間為至少1min。

10.根據權利要求1-9任意一項所述的待打線封裝芯片產品的清洗方法，其特征在于，所述步驟4中，烘干的溫度為70℃～90℃，烘干的時間為15min～25min。