[發明專利]一種壓控振蕩器的電容耦合輸出緩沖電路及其控制方法

在審

• 申請號: 202110875458.1
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113381698A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 劉輝
• 申請（專利權）人: 杭州雄邁集成電路技術股份有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12;H03B5/02
• 代理公司: 杭州裕陽聯合專利代理有限公司 33289
• 代理人: 周云

1.一種壓控振蕩器的電容耦合輸出緩沖電路，其特征在于，輸入端和輸出端之間依次設置有壓控振蕩器(VCO)、第一電容(C1)、第一倒相器和第二倒相器，所述輸入端包括EN信號端(EN)和輸入控制電壓(V)，所述輸入控制電壓(V)為所述壓控振蕩器(VCO)的控制電壓；

所述第一倒相器包括：第一P溝道MOS晶體管(MP1)和第一N溝道MOS晶體管(MN1)，所述第一P溝道MOS晶體管(MP1)和所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)串聯于電源端(Vdd)和接地端(GND)之間，并且在所述第一P溝道MOS晶體管(MP1)和所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)之間跨接有MOS晶體管組，所述MOS晶體管組的柵極連接EN信號端(EN)和ENN信號端(ENN)；

所述第一電容(C1)連接在所述壓控振蕩器(VCO)和所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)的柵極之間；

還包括第三N溝道MOS晶體管(MN3)，所述第三N溝道MOS晶體管(MN3)的柵極連接ENN信號端(ENN)，所述第三N溝道MOS晶體管(MN3)的源極接地，所述第三N溝道MOS晶體管(MN3)的漏極連接所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)的柵極；

所述第二倒相器包括第二P溝道MOS晶體管(MP2)和第二N溝道MOS晶體管(MN2)，所述第二P溝道MOS晶體管(MP2)和所述第二N溝道MOS晶體管(MN2)串聯于電源端(Vdd)和接地端(GND)之間。

2.如權利要求1所述的壓控振蕩器的電容耦合輸出緩沖電路，其特征在于，所述MOS晶體管組包括多個串聯的mos管。

3.如權利要求1所述的壓控振蕩器的電容耦合輸出緩沖電路，其特征在于，所述MOS晶體管組包括至少一個子P溝道MOS晶體管和至少一個子N溝道MOS晶體管，所述MOS晶體管組中的子P溝道MOS晶體管和子N溝道MOS晶體管的數量一致。

4.如權利要求3所述的壓控振蕩器的電容耦合輸出緩沖電路，其特征在于，所述子N溝道MOS晶體管的柵極連接所述EN信號端(EN)，所述子P溝道MOS晶體管的柵極連接所述ENN信號端(ENN)。

5.如權利要求4所述的壓控振蕩器的電容耦合輸出緩沖電路，其特征在于，于所述MOS晶體管組中包括一個子P溝道MOS晶體管和一個子N溝道MOS晶體管時；

所述子N溝道MOS晶體管的源極連接所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)的柵極，所述子N溝道MOS晶體管的漏極連接所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)的漏極；

所述子P溝道MOS晶體管的源極或漏極連接所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)的柵極，所述子P溝道MOS晶體管的漏極或源極連接所述第一N溝道MOS晶體管(MN1)的漏極。