[發(fā)明專利]一種加熱冷卻一體式盤(pán)體及其制作方法和用途在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110875014.8 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113432379A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚力軍;潘杰;昝小磊;鮑偉江;王學(xué)澤;李鑫康 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海睿昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | F25D31/00 | 分類號(hào)： | F25D31/00;H01L21/67;C22C19/05 |
| 代理公司： | 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人： | 王巖 |
| 地址： | 201401 上海市奉*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 加熱 冷卻 體式 及其 制作方法 用途 | ||
1.一種加熱冷卻一體式盤(pán)體的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括：
將冷卻件和加熱盤(pán)通過(guò)擴(kuò)散焊接的方式固定連接，得到加熱冷卻一體式盤(pán)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的加熱盤(pán)采用鎳基高溫合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述鎳基高溫合金的密度為7.5～8.5g/cm3；
優(yōu)選地，所述鎳基高溫合金的熔點(diǎn)為1354～1413℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述鎳基高溫合金包括Ni、Cr、Fe、Mn、Cu、C、Si、P和S。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，以質(zhì)量100wt.％計(jì)，所述的鎳基高溫合金中包括如下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的各元素：
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述的冷卻件為冷卻水道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述的冷卻水道為蛇形或空心環(huán)形。
8.一種加熱冷卻一體式盤(pán)體，其特征在于，所述的加熱冷卻一體式盤(pán)體采用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制作方法制備得到，所述的加熱冷卻一體式盤(pán)體包括固定連接的加熱盤(pán)和冷卻件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱冷卻一體式盤(pán)體，其特征在于，所述的加熱冷卻一體式盤(pán)體邊緣等間距設(shè)置有至少兩個(gè)側(cè)孔，所述的側(cè)孔固定連接側(cè)板；
優(yōu)選地，所述的側(cè)板活動(dòng)連接螺母。
10.一種權(quán)利要求8或9所述的加熱冷卻一體式盤(pán)體的用途，其特征在于，所述加熱冷卻一體式盤(pán)體用于半導(dǎo)體產(chǎn)品加熱過(guò)程中晶圓的散熱。
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