[發(fā)明專利]太陽能電池片、太陽能電池片的制造方法及光伏組件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110874638.8 | 申請日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN113611754A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李婷婷;陶武松;戚培東;李輝 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 組件 | ||
本申請實施例涉及光伏領域,提供一種太陽能電池片、太陽能電池片的制造方法及光伏組件,太陽能電池片包括:初始太陽能電池片,所述初始太陽能電池片包括中間區(qū)域以及環(huán)繞所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域,所述初始太陽能電池片包括依次堆疊的襯底、發(fā)射極層和鈍化層;減反射膜,所述減反射膜位于所述鈍化層的表面,在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述減反射膜的厚度小于位于所述邊緣區(qū)域的所述減反射膜的厚度;在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述初始太陽能電池片和所述減反射膜的厚度和小于等于位于所述邊緣區(qū)域的所述初始太陽能電池片和所述減反射膜的厚度和,至少可以提高太陽能電池片的性能。
技術領域
本申請實施例涉及光伏領域,特別涉及一種太陽能電池片、太陽能電池片的制造方法及光伏組件。
背景技術
隨著化石能源的不斷減少和環(huán)境污染的不斷加劇,新能源的研發(fā)與推廣使用得到高度關注。其中,太陽能作為新能源之一,其豐富、潔凈等優(yōu)點使其最可能成為新能源的主導。目前,在眾多種類的太陽能電池中,晶硅太陽能電池已經成為主導。
現有技術形成的太陽能電池片的邊緣區(qū)域的厚度較小,由于邊緣區(qū)域厚度較小,在后續(xù)形成光伏組件的制程中容易受制程應力的影響,導致太陽能電池片的邊緣區(qū)域隱裂,嚴重影響太陽能電池片的性能。
如何增強太陽能電池片邊緣區(qū)域的厚度,成為本領域技術人員亟須解決的技術問題。
發(fā)明內容
本申請實施例提供一種太陽能電池片、太陽能電池片的形成方法及光伏組件,至少有利于解決太陽能電池片邊緣區(qū)域容易隱裂的問題。
根據本申請一些實施例,本申請實施例一方面提供一種太陽能電池片,包括:初始太陽能電池片,所述初始太陽能電池片包括中間區(qū)域以及環(huán)繞所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域,所述初始太陽能電池片包括依次堆疊的襯底、發(fā)射極層和鈍化層;減反射膜,所述減反射膜位于所述鈍化層的表面,在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述減反射膜的厚度小于位于所述邊緣區(qū)域的所述減反射膜的厚度;在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述初始太陽能電池片和所述減反射膜的厚度和小于等于位于所述邊緣區(qū)域的所述初始太陽能電池片和所述減反射膜的厚度和。
另外,所述減反射膜包括依次堆疊的第一減反射膜和第二減反射膜,位于所述中間區(qū)域的所述第一減反射膜的厚度與位于所述邊緣區(qū)域的所述第一減反射膜的厚度相同。
另外,所述第二減反射膜位于所述邊緣區(qū)域的所述第一減反射膜表面。
另外,所述第二減反射膜位于整個所述第一減反射膜表面,在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述邊緣區(qū)域的所述第二減反射膜的厚度大于位于所述中間區(qū)域的所述第二減反射膜的厚度。
另外,所述第一減反射膜的材料和所述第二減反射膜的材料相同。
另外,在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述邊緣區(qū)域的所述第二減反射膜的厚度為3微米~10微米。
另外,在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述初始太陽能電池片的厚度大于位于所述邊緣區(qū)域的所述初始太陽能電池片的厚度。
另外,在垂直于所述初始太陽能電池片側壁的方向上,所述邊緣區(qū)域的寬度為1毫米~4毫米。
根據本申請一些實施例,本申請實施例另一方面提供一種太陽能電池片的制造方法,包括:形成初始太陽能電池片,所述初始太陽能電池片包括中間區(qū)域以及環(huán)繞所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域,所述初始太陽能電池片包括依次堆疊的襯底、發(fā)射極層和鈍化層;進行成膜處理,在所述鈍化層表面形成減反射膜,在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述減反射膜的厚度小于位于所述邊緣區(qū)域的所述減反射膜的厚度;在垂直于所述鈍化層表面的方向上,位于所述中間區(qū)域的所述初始太陽能電池片和所述減反射膜的厚度和小于等于位于所述邊緣區(qū)域的所述初始太陽能電池片和所述減反射膜的厚度和。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





