[發明專利]一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法

有效

• 申請號: 202110873195.0
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113593773B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 黃瑜佳;鐘偉斌;唐林;楊歡歡
• 申請（專利權）人: 廣西中沛光電科技有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00
• 代理公司: 上海政濟知識產權代理事務所(普通合伙) 31479
• 代理人: 黃小靈

1.一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，包括以下份數的原材料：二乙基己酸銦30-50份、四氧化錫20-40份、有機鹽20-50份、成膜劑2-8份、穩定劑2-6份。

2.根據權利要求1所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：先將二乙基己酸銦、四氧化錫和有機鹽各放置在一個容器中并進行加熱；

S2：然后將二乙基己酸銦、四氧化錫和有機鹽產生的氣體引流到一個反應室內；

S3：在反應室內放置基板，氣體在基板上成膠體；

S4：然后在膠體上加入成膜劑和穩定劑制成ITO薄膜；

S5：將基板上的ITO薄膜取出進行干燥處理；

S6：最后對ITO薄膜進行退火處理。

3.根據權利要求1所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，所述二乙基己酸銦與四氧化錫的比例為2:1.5。

4.根據權利要求2所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，S1步驟中二乙基己酸銦的容器溫度為250-300攝氏度，四氧化錫的容器溫度為300-350攝氏度，有機鹽的容器溫度為220-280攝氏度。

5.根據權利要求2所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，S3步驟中基板的具體材料為硼硅玻璃板，采用外置電爐加熱，加熱溫度為380-420攝氏度。

6.根據權利要求2所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，S4步驟中成膜劑配比為1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，穩定劑配比為2-6:1-7:3-9的鈣皂、季戊四醇和亞磷酸鹽混合制成。

7.根據權利要求2所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，S5步驟中的干燥溫度為180-280攝氏度，干燥處理時間為1.5-3小時。

8.根據權利要求2所述的一種超大尺寸電容式觸摸屏ITO薄膜制備方法，其特征在于，S6步驟中的退火處理的溫度為260-320攝氏度，退火處理的時間為8-10分鐘，退火處理的方式為微波燒結，其處理過程中的保護氣體為氫氣。