[發明專利]陣列基板、顯示面板和陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 202110872016.1
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113629116B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 李源規;唐波玲;李榮榮
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種陣列基板，包括襯底和多個像素單元，多個所述像素單元設置在所述襯底上，其特征在于，每個所述像素單元包括多個子像素，所述子像素包括驅動薄膜晶體管和主動發光陣列；

所述驅動薄膜晶體管和所述主動發光陣列相鄰設置在所述襯底上，且所述驅動薄膜晶體管與所述主動發光陣列連接；

所述主動發光陣列包括：

絕緣層，設置在所述襯底上；

第一電極，設置在所述絕緣層上；

第二電極，設置在所述絕緣層上，與所述第一電極間隔設置；

納米發光二極管，設置有多個，均設置在所述絕緣層上，且位于所述第一電極和所述第二電極之間；

第一層間介質層，設置在所述第一電極、所述第二電極和所述納米發光二極管上；

第一接觸電極，設置在所述第一層間介質層上，位于所述第一電極和所述納米發光二極管之間，且連通所述第一電極和所述納米發光二極管的兩極中的一個；

第二層間介質層，設置在所述第一接觸電極上，且覆蓋所述第一層間介質層裸露的表面；以及

第二接觸電極，設置在所述第二層間介質層上，位于所述第二電極和所述納米發光二極管之間，且連通所述第二電極和所述納米發光二極管的兩極中未被連接的另一個；

所述驅動薄膜晶體管包括：

緩沖介質層，設置在所述襯底和所述絕緣層之間；

半導體層，位于所述絕緣層與所述緩沖介質層之間；

柵電極，設置在所述絕緣層與所述第一層間介質層之間，且與所述半導體層位置對應，所述柵電極在所述襯底上的正投影面積小于所述半導體層的正投影面積；

源電極，設置在所述第一層間介質層與所述第二層間介質層之間，且與所述半導體層連通；

漏電極，設置在所述第一層間介質層與所述第二層間介質層之間，與所述源電極相對設置，且與所述半導體層連通；

其中，所述柵電極與所述第一電極和所述第二電極共用同一制程制作；所述源電極、所述漏電極和所述第一接觸電極共用同一制程制作，且所述漏電極和所述第一接觸電極連通。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括平坦化層、反射層和薄膜封裝層，所述平坦化層設置在所述襯底上，且位于所述驅動薄膜晶體管和所述主動發光陣列遠離所述襯底的一側；所述反射層設置在所述平坦化層遠離所述襯底的一側，且與所述主動發光陣列位置對應；所述薄膜封裝層設置在所述反射層遠離所述平坦化層的一側，用于對所述陣列基板進行封裝；

所述襯底對應反射層設置有透明區域。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦化層對應所述主動發光陣列的位置設置有穹頂結構，所述穹頂結構在所述襯底上的正投影完全覆蓋所述第一電極、所述第二電極和所述納米發光二極管在所述襯底上的正投影；所述反射層設置在所述穹頂結構上，且所述反射層在所述襯底上的正投影面積大于等于所述穹頂結構的正投影面積。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底上還設置有開關薄膜晶體管，所述陣列基板還包括掃描線、數據線和電容；所述電容設置在所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管之間，所述電容的一端與所述開關薄膜晶體管連接，另一端與所述驅動薄膜晶體管連接，所述開關薄膜晶體管控制所述驅動薄膜晶體管的打開與關閉。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至4任意一項所述的陣列基板，所述陣列基板還設置有顏色轉換層，所述顏色轉換層設置在所述襯底遠離所述像素單元的一側，所述顏色轉換層包括透光區域和遮光區域，所述遮光區域對應所述驅動薄膜晶體管設置，所述透光區域對應所述主動發光陣列設置。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括紅色像素、綠色像素和藍色像素；所述納米發光二極管包括藍光納米發光二極管；

所述顏色轉換層包括多種顏色的子顏色轉換層，所述子顏色轉換層設置在所述透光區域；所述子顏色轉換層包括紅色子顏色轉換層和綠色子顏色轉換層，所述紅色子顏色轉換層和所述綠色子顏色轉換層均設置有量子點，所述子顏色轉換層對應所述藍色像素鏤空設置，所述紅色子顏色轉換層對應所述紅色像素設置；所述綠色子顏色轉換層對應所述綠色像素設置。