[發明專利]射頻器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202110871900.3
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113611659A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 劉張李;陳志偉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種射頻器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，包括自下而上依次層疊的下層襯底、絕緣層和上層襯底；

淺溝槽隔離結構，依次貫穿所述上層襯底和所述絕緣層，且所述淺溝槽隔離結構的頂面與所述上層襯底的頂面平齊；

接觸結構，貫穿所述淺溝槽隔離結構并與所述下層襯底電性連接，且所述接觸結構的頂面與所述上層襯底的頂面平齊；

第一導電插塞，形成于所述接觸結構上并與所述接觸結構電性連接；以及，

第二導電插塞，形成于所述上層襯底上并與所述上層襯底電性連接，且所述第二導電插塞的尺寸與所述第一導電插塞的尺寸相同。

2.如權利要求1所述的射頻器件，其特征在于，所述射頻器件還包括：

金屬硅化物層，形成于所述接觸結構的頂面和所述上層襯底的頂面；

阻擋層，覆蓋所述金屬硅化物層；以及，

層間介質層，覆蓋所述阻擋層，所述第一導電插塞和所述第二導電插塞依次貫穿所述層間介質層和所述阻擋層。

3.如權利要求1所述的射頻器件，其特征在于，所述絕緣層的材質為氧化硅，所述上層襯底和所述下層襯底的材質為硅。

4.一種射頻器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括自下而上依次層疊的下層襯底、絕緣層和上層襯底；

形成淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構依次貫穿所述上層襯底和所述絕緣層，并且所述淺溝槽隔離結構的頂面與所述上層襯底的頂面平齊；

形成接觸結構，所述接觸結構貫穿所述淺溝槽隔離結構并與所述下層襯底電性連接，且所述接觸結構的頂面與所述上層襯底的頂面平齊；

在所述接觸結構上形成與所述接觸結構電性連接的第一導電插塞，并在所述上層襯底上形成與所述上層襯底電性連接的第二導電插塞，所述第二導電插塞的尺寸與所述第一導電插塞的尺寸相同。

5.如權利要求4所述的射頻器件的形成方法，其特征在于，所述接觸結構的形成方法包括：

在所述上層襯底上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層中具有對準所述淺溝槽隔離結構的第一開口，所述第一開口的寬度小于所述淺溝槽隔離結構的寬度；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕所述淺溝槽隔離結構以形成第二開口，所述第二開口暴露出部分所述下層襯底；

形成所述接觸結構，所述接觸結構填充所述第二開口以與所述下層襯底電性連接。

6.如權利要求5所述的射頻器件的形成方法，其特征在于，所述接觸結構的材質為摻雜多晶硅。

7.如權利要求4所述的射頻器件的形成方法，其特征在于，所述第一導電插塞和所述第二導電插塞的形成方法包括：

在所述接觸結構的頂面及所述上層襯底的頂面形成金屬硅化物層；

在所述金屬硅化物層上依次形成阻擋層和層間介質層，所述阻擋層覆蓋所述金屬硅化物層；

依次刻蝕所述層間介質層和所述阻擋層，以形成依次貫穿所述層間介質層和所述阻擋層并對準所述接觸結構的第一接觸孔，以及形成依次貫穿所述層間介質層和所述阻擋層并對準所述上層襯底的第二接觸孔；

在所述第一接觸孔中填充導電層，以形成所述第一導電插塞，并在所述第二接觸孔中填充所述導電層，以形成所述第二導電插塞。

8.如權利要求7所述的射頻器件的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為氮化硅和/或氮氧化硅；所述層間介質層的材質為氧化硅。

9.如權利要求7所述的射頻器件的形成方法，其特征在于，所述導電層的材質為銅、錳、鈦、鋯、鉭、鎢、鈀、鉑、鈷、鎳和釔中的至少一種。

10.如權利要求1所述的射頻器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的材質為氧化硅，所述上層襯底和所述下層襯底的材質為硅。