[發(fā)明專利]一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110868565.1
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113594247A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫瑞澤;羅攀;王方洲;劉超;陳萬軍
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管，包括從下至上依次層疊設(shè)置的襯底(1)、成核層(2)、緩沖層(3)、溝道層(4)、勢壘層(5)，其中溝道層(4)和勢壘層(5)形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)；所述勢壘層(5)上表面兩端分別具有第一金屬(9)和第二金屬(10)，第一金屬(9)嵌入勢壘層(5)中形成歐姆接觸，第一金屬(9)為漏極；第二金屬(10)嵌入勢壘層(5)中形成歐姆接觸，第二金屬(10)為源極；其特征在于，在勢壘層(5)上表面靠近第二金屬(10)一側(cè)具有第一pGaN結(jié)構(gòu)(7)，在勢壘層(5)上表面靠近第一金屬(9)一側(cè)具有第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)，在第二金屬(10)與第一pGaN結(jié)構(gòu)(7)之間、第一pGaN結(jié)構(gòu)(7)與第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)之間、第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)與第一金屬(9)之間具有介質(zhì)層(6)；所述第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)由一個或多個沿器件縱向方向的并列設(shè)置的pGaN結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述構(gòu)成第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)的pGaN結(jié)構(gòu)沿器件縱向方向的長度小于勢壘層(5)沿器件縱向方向的長度，所有pGaN結(jié)構(gòu)在器件垂直方向的厚度相等，不同pGaN結(jié)構(gòu)由介質(zhì)層(6)隔離；定義源極到漏極的方向為器件橫向方向，則器件縱向方向是同時垂直于器件橫向方向和器件垂直方向的第三維度方向；所述第一pGaN結(jié)構(gòu)(7)的上表面具有第三金屬(11)，第三金屬(11)完全覆蓋第一pGaN結(jié)構(gòu)(7)的上表面并沿器件橫向方向向兩側(cè)延伸至覆蓋部分介質(zhì)層(6)上表面，第三金屬(11)為柵極；第一金屬(9)沿第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)上表面向第二金屬(10)的方向延伸至完全覆蓋第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)的上表面及部分介質(zhì)層(6)上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)由多個pGaN結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其具有以下構(gòu)成方式：單行沿器件縱向方向的并列分布或多行沿器件縱向方向的交錯并列分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的所述的一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，第二pGaN結(jié)構(gòu)(8)由多個pGaN結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述pGaN結(jié)構(gòu)形狀為矩形、三角形、圓形、橢圓形、菱形的一種或多種組合。