[發明專利]碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法在審
| 申請號： | 202110867779.7 | 申請日： | 2021-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN113664694A | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發明（設計）人： | 趙麗霞;魏汝省;李斌;李鵬;原帥武;牛玉龍;張峰;靳霄曦 | 申請（專利權）人： | 山西爍科晶體有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;B24B1/00;G01B21/08 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷錦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 雙面 拋光 中硅面 去除 厚度 測定 方法 | ||
1.碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，包括以下步驟：
a）對待測定的拋光片進行外延生長形成外延層；
b）測量拋光片連同外延層的整體總厚度T總1以及外延層的厚度T外1；
c）進行雙面拋光，所述雙面拋光的時間為t；
d）拋光后再次測試拋光片連同外延層的整體總厚度T總2和外延層厚度T外2；
e）計算△T總和△T硅面：△T總＝T總1－T總2；△T硅面＝T外1－T外2；
f）計算總拋光速率＝△T總/t；硅面拋光速率＝△T硅面/t；碳面拋光速率＝（△T總－△T硅面）/ t。
2.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，所述拋光片的厚度為330-350μm。
3.根據權利要求2所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，所述拋光片的厚度為350±1μm。
4.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，外延層的厚度為10-100μm。
5.根據權利要求4所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，外延層的厚度為20-50μm。
6.根據權利要求1或4或5所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，所述外延層的厚度均勻性≤5%。
7.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，所述雙面拋光的時間為1-5h。
8.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中硅面及碳面去除厚度的測定方法，其特征在于，所述雙面拋光的時間為2-3h。
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