[發明專利]一種硅基負極材料及其制備方法在審
| 申請號： | 202110866904.2 | 申請日： | 2021-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN113725409A | 公開（公告）日： | 2021-11-30 |
| 發明（設計）人： | 張辰;林少雄;許家齊;丁男;劉海寧;王輝 | 申請（專利權）人： | 合肥國軒高科動力能源有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 余婧 |
| 地址： | 230000 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 負極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種硅基負極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將SiO和Mg2Si混合均勻，得到混合物A；
S2、將所述混合物A加入碳納米管分散液中，分散均勻，然后過濾，將過濾得到的固體物質清洗、干燥，得到前驅體B；
S3、在惰性氣氛下，將所述前驅體B在600-800℃、通入CO2的條件下燒結2-5h，得到粉體C；
S4、對所述粉體C進行碳包覆，在其表面形成碳層，得到硅基負極材料。
2.根據權利要求1所述的硅基負極材料的制備方法，其特征在于，Mg2Si的質量占所述混合物A總質量的8-30％。
3.根據權利要求1或2所述的硅基負極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，碳包覆的方法為氣相法碳包覆或者液相法碳包覆。
4.根據權利要求3所述的硅基負極材料的制備方法，其特征在于，所述氣相法碳包覆的碳源為乙炔、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯中的至少一種。
5.根據權利要求3所述的硅基負極材料的制備方法，其特征在于，所述液相法碳包覆的碳源選自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚丙烯腈或者它們的共聚物或者瀝青、葡萄糖中的至少一種。
6.一種權利要求1-5任一項所述的制備方法得到的硅基負極材料，其特征在于，包括硅基顆粒、碳納米管和碳層；
所述碳納米管包覆在所述硅基顆粒表面，所述碳層包覆在所述硅基顆粒和所述碳納米管表面；
所述硅基顆粒的組分包括Si、SiO2、Mg2SiO4和MgSiO3。
7.根據權利要求5或6所述的硅基負極材料，其特征在于，所述碳納米管的質量占硅基負極材料總質量的0.02-2％。
8.根據權利要求5-7任一項所述的硅基負極材料，其特征在于，所述碳層的質量占硅基負極材料總質量的2-10％。
9.根據權利要求5-8任一項所述的硅基負極材料，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納米管、多壁碳納米管、螺旋狀碳納米管中的至少一種。
10.根據權利要求5-9任一項所述的硅基負極材料，其特征在于，所述硅基負極材料的平均粒徑D50為1-20μm；優選地，所述硅基負極材料的平均粒徑D50為5-15μm。
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