[發(fā)明專利]一種垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110865250.1
• 申請(qǐng)日: 2021-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN113611718A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彩云;張磊;顧珍;董立群;王奇?zhèn)?/a>;陳昊瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有溝槽以及分別位于所述溝槽兩側(cè)的光電二極管區(qū)和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；

在所述襯底上形成第一多晶硅層，所述第一多晶硅層填充所述溝槽的部分深度；

在所述第一多晶硅層上形成無定型硅層，所述無定型硅層填充所述溝槽的剩余深度，形成所述無定型硅層的同時(shí)通入摻雜氣體進(jìn)行原位摻雜；

對(duì)所述無定型硅層進(jìn)行熱退火處理，以使所述無定型硅層轉(zhuǎn)換為第二多晶硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述溝槽的深度為

3.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度為

4.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述無定型硅層的厚度為

5.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，所述摻雜氣體包括含碳?xì)怏w和含磷氣體。

6.如權(quán)利要求5所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述含碳?xì)怏w的流量為40sccm～150sccm，和/或，所述含磷氣體的濃度為1E25atom/cm～7E20atom/cm。

7.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述熱退火處理的溫度為600℃～1000℃。

8.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述第一多晶硅層上形成所述無定型硅前，還包括：

對(duì)所述第一多晶硅層進(jìn)行離子注入工藝。

9.如權(quán)利要求8所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述離子注入工藝采用磷離子進(jìn)行注入，磷離子注入的能量為1KeV～3KeV，磷離子注入的濃度為1E15atom/cm～4E15atom/cm。

10.如權(quán)利要求1所述的垂直柵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述溝槽中形成所述第一多晶硅層前，還包括：

在所述溝槽中形成氧化層，所述氧化層覆蓋所述溝槽內(nèi)壁并延伸覆蓋所述襯底表面。