[發(fā)明專利]一種錫槽及其清潔方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110865076.0
• 申請日: 2021-07-29
• 公開（公告）號: CN113582516A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李青;李赫然;張克儉;陳英;郭志勝;蒲興龍;王海周;葛懷敏;李剛
• 申請（專利權(quán)）人: 河南旭陽光電科技有限公司;東旭集團(tuán)有限公司
• 主分類號: C03B18/18
• 分類號: C03B18/18;C03B18/16
• 代理公司: 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447
• 代理人: 董琳

1.一種錫槽，其特征在于，所述錫槽包括：槽體和錫灰清潔單元；

所述錫灰清潔單元包括氫氣支管和頂蓋磚(6)，所述頂蓋磚(6)覆于所述槽體的頂部，以在所述槽體與所述頂蓋磚(6)之間形成密封的成型腔室；所述頂蓋磚(6)的頂部開設(shè)有貫穿所述成型腔室內(nèi)外的導(dǎo)流孔(7)，所述氫氣支管的出口與所述導(dǎo)流孔(7)的入口端連通，所述導(dǎo)流孔(7)的出口端朝向所述成型腔室內(nèi)部的裸露錫液面(8)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫槽，其中，所述錫灰清潔單元還包括：金屬軟管(4)和分流管(5)，所述金屬軟管(4)和分流管(5)分別設(shè)置于所述成型腔室的外部；

所述金屬軟管(4)和分流管(5)沿氫氣流向依次設(shè)置于所述氫氣支管上；所述分流管(5)的入口與所述氫氣支管的出口連通，所述分流管(5)的若干子出口分別與所述導(dǎo)流孔(7)的入口端連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫槽，其中，所述錫灰清潔單元還包括：氫氣流量控制裝置；所述氫氣流量控制裝置設(shè)置于所述氫氣支管上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的錫槽，其中，所述氫氣流量控制裝置包括玻璃缺陷檢測儀以及沿氫氣流動方向依次設(shè)置的氫氣流量調(diào)節(jié)閥(2)和流量計(jì)(3)；

可選地，所述玻璃缺陷檢測儀與所述氫氣流量調(diào)節(jié)閥(2)電控連接，以根據(jù)玻璃產(chǎn)品缺陷率和/或玻璃表面錫灰含量來調(diào)節(jié)所述氫氣流量調(diào)節(jié)閥(2)的開度；

其中，所述流量計(jì)(3)為轉(zhuǎn)子流量計(jì)、渦輪流量計(jì)或孔板流量計(jì)；所述玻璃缺陷檢測儀包括在線缺陷檢測儀；所述氫氣流量調(diào)節(jié)閥(2)選自球閥、閘閥或截止閥。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫槽，其中，所述錫槽還包括：氫氣主管線(1)和氮?dú)夤芫€；

所述氫氣主管線(1)和氮?dú)夤芫€分別鋪設(shè)于所述成型腔室的外部，所述氫氣主管線(1)的管壁上設(shè)有若干所述氫氣支管的入口，所述氮?dú)夤芫€的出口朝向所述成型腔室的內(nèi)部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫槽，其中，所述成型腔室的頂面和側(cè)面為由若干子頂蓋磚鋪設(shè)而成的平面結(jié)構(gòu)，所述子頂蓋磚為不規(guī)則的多面體結(jié)構(gòu)；

所述導(dǎo)流孔(7)形成為沿所述槽體的長度方向延伸的長條孔，所述頂蓋磚(6)上包括一個或多個導(dǎo)流孔組，每個所述導(dǎo)流孔組包括多個所述導(dǎo)流孔(7)。

7.權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的錫槽的清潔方法，其特征在于，所述方法包括：

使氫氣經(jīng)所述氫氣支管通過所述導(dǎo)流孔(7)進(jìn)入所述成型腔室的內(nèi)部，與所述成型腔室內(nèi)部的裸露錫液面(8)接觸進(jìn)行錫灰清潔。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述方法還包括：通過氫氣流量控制裝置調(diào)節(jié)所述氫氣支管內(nèi)的氫氣流量；

可選地，所述氫氣流量控制裝置包括玻璃缺陷檢測儀以及沿氫氣流動方向依次設(shè)置的氫氣流量調(diào)節(jié)閥(2)和流量計(jì)(3)；

可選地，所述玻璃缺陷檢測儀與所述氫氣流量調(diào)節(jié)閥(2)電控連接，以根據(jù)玻璃產(chǎn)品缺陷率和/或玻璃表面錫灰含量來調(diào)節(jié)所述氫氣支管內(nèi)的氫氣流量。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述方法還包括：使氫氣通過氫氣主管線(1)進(jìn)入所述氫氣支管；所述氫氣為純氫氣，所述純氫氣中氧氣的體積濃度為2ppm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述方法還包括：使氮?dú)馔ㄟ^氮?dú)夤芫€進(jìn)入所述成型腔室的內(nèi)部；相對于100體積份的所述氮?dú)猓鰵錃獾挠昧繛?-1.5體積份。