[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理方法以及基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110864672.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114068358A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 合田和樹(shù);巖田敬次;松永恭幸;高橋朋宏 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 以及 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,使用處理液處理基板,其中,
包含:
向具有多個(gè)開(kāi)口的氣泡供給管供給氣體,并向所述處理液中供給所述氣體以形成氣泡的工序;
在所述處理液中測(cè)量由被供給了所述氣泡的所述處理液的狀態(tài)引起的物理量的工序;
基于所述物理量,判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài)的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其中,
所述物理量表示被供給了所述氣泡的所述處理液的比重,
在所述判定的工序中,基于所述比重判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其中,
所述物理量表示在被供給了所述氣泡的所述處理液中產(chǎn)生的壓力,
在所述判定的工序中,基于所述壓力判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其中,
在判定所述狀態(tài)的所述工序中,比較在第一時(shí)間測(cè)量的所述物理量即基準(zhǔn)物理量與在第二時(shí)間測(cè)量的所述物理量即測(cè)量物理量,來(lái)判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài),
所述第一時(shí)間與所述第二時(shí)間不同。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理方法,其中,
所述第一時(shí)間表示處理所述基板之前的時(shí)間,
所述第二時(shí)間表示處理所述基板之后的時(shí)間,
在判定所述狀態(tài)的所述工序中,基于所述基準(zhǔn)物理量與所述測(cè)量物理量的差分,來(lái)判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài)是否異常。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,
在供給所述氣體的所述工序中,
在處理所述基板時(shí),向所述氣泡供給管供給第一流量的所述氣體;
在判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài)時(shí),向所述氣泡供給管供給第二流量的所述氣體;
所述第二流量比所述第一流量多。
7.一種基板處理裝置,其中,
具備:
處理槽,貯留處理液并浸漬基板;
氣泡供給管,具有向所述處理液中供給氣體以形成氣泡的多個(gè)開(kāi)口;
測(cè)量部,在所述處理液中測(cè)量由被供給了所述氣泡的所述處理液的狀態(tài)引起的物理量;以及
判定部,基于所述物理量判定所述多個(gè)開(kāi)口的狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置,其中,
所述測(cè)量部是比重計(jì),具有:
管,配置在所述處理槽內(nèi);以及
氣體供給機(jī)構(gòu),向所述管供給氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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