[發明專利]半導體工藝設備及其進氣裝置

在審

• 申請號: 202110864551.2
• 申請日: 2021-07-29
• 公開（公告）號: CN115681653A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 徐剛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: F16L39/00
• 分類號: F16L39/00;F16L41/08;F16L41/16;F16L53/35;G01K1/14;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備的進氣裝置，設置于所述半導體工藝設備的工藝腔室頂部，用于向所述工藝腔室內輸入工藝氣體，其特征在于，包括：進氣塊組件及連接組件，所述進氣塊組件及連接組件均采用抗腐蝕的材質制成；

所述進氣塊組件內形成有混氣腔、輸氣通道及混氣通道，所述進氣塊組件與所述工藝腔室的上蓋密封連接，所述輸氣通道的進氣口與所述混氣腔連通，所述輸氣通道的出氣口與所述工藝腔室連通；所述混氣通道的多個進氣口形成于進氣塊組件的外表面上，所述混氣通道的出氣口與所述混氣腔連通；

多個所述連接組件均設置于所述進氣塊組件上，并且多個所述連接組件與所述混氣通道的多個進氣口一一對應連通，分別用于與多個工藝氣體供給源連接，以選擇性向所述混氣通道內通入或停止通入工藝氣體。

2.如權利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣塊組件為鋁材質制成，并且包括有依次密封連接的第一進氣塊、第二進氣塊及第三進氣塊，所述第一進氣塊與所述工藝腔室的上蓋密封連接；

所述輸氣通道形成于所述第一進氣塊及所述第二進氣塊內，所述混氣腔形成于所述第二進氣塊及第三進氣塊之間；所述混氣通道形成于所述第二進氣塊及第三進氣塊內。

3.如權利要求2所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣裝置還包括有控溫組件，所述第一進氣塊、所述第二進氣塊及所述第三進氣塊內均設置有所述控溫組件，用于檢測及控制所述第一進氣塊、所述第二進氣塊及所述第三進氣塊的溫度。

4.如權利要求2所述的進氣裝置，其特征在于，所述輸氣通道包括第一輸氣支路及第二輸氣支路；

所述第一輸氣支路包括形成于所述第一進氣塊內的相互連通的第一豎通道及第一橫通道，所述第一豎通道沿所述第一進氣塊的長度方向延伸設置，所述第一橫通道沿所述第一進氣塊的徑向延伸設置；所述第一豎通道與所述工藝腔室連通，所述第一橫通道所述第二輸氣支路連通；

所述第二輸氣支路包括形成于所述第二進氣塊內的兩個相互連通的第二橫通道，兩個所述第二橫通道均沿所述第二進氣塊的徑向延伸設置，其中一個所述第二橫通道與所述第一橫通道連通，另一個第二橫通道與所述混氣腔連通。

5.如權利要求2所述的進氣裝置，其特征在于，所述第三進氣塊的一側面上開設有混氣槽，所述混氣槽的開口與所述第二進氣塊的側面密封連接以形成所述混氣腔。

6.如權利要求2所述的進氣裝置，其特征在于，所述混氣通道包括第一混氣支路、連接支路及多個第二混氣支路；所述第一混氣支路包括形成于第三進氣塊內的相互連通的第三橫通道及第四橫通道，所述第三橫通道及所述第四橫通道均沿所述第三進氣塊的徑向延伸設置，所述第三橫通道與所述混氣腔連通，所述第四橫通道延伸至所述第三進氣塊的側面；所述連接支路包括形成于所述第三進氣塊內的第六橫通道及形成于所述第二進氣塊內的第七橫通道，所述第六橫通道與所述第七橫通道連通設置，所述第六橫通道與所述第四橫通道相互連通；多個所述第二混氣支路包括分別為形成于所述第二進氣塊及第三進氣塊內的多個第五橫通道，形成于所述第三進氣塊中的所述第五橫通道均與所述第六橫通道連通，形成于所述第二進氣塊中的所述第五橫通道均與所述第七橫通道連通。

7.如權利要求3所述的進氣裝置，其特征在于，所述控溫組件包括加熱部件及第一測溫部件，所述第一進氣塊、所述第二進氣塊及所述第三進氣塊內均設置有所述加熱部件及所述第一測溫部件，并且所述第一測溫部件與所述加熱部件電連接；所述第一測溫部件用于檢測所述第一進氣塊、所述第二進氣塊及所述第三進氣塊的溫度，并且根據所述溫度控制所述加熱部件的加熱功率。

8.如權利要求7所述的進氣裝置，其特征在于，所述控溫組件還包括第二測溫部件，所述第二測溫部件均設置于所述第一進氣塊、所述第二進氣塊及所述第三進氣塊內，用于檢測所述第一進氣塊、所述第二進氣塊及所述第三進氣塊的溫度并示出。