[發(fā)明專利]一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層及其制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110862132.5 | 申請日: | 2021-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN113594268A | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 嚴循成;何迎輝 | 申請(專利權)人: | 江蘇福旭科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
| 地址: | 223699 江蘇省宿遷市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發(fā)電 硅片 反射 涂層 及其 制備 工藝 | ||
1.一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層及其制備工藝,包括硅片本體(1)和通過導熱粘結層(2)粘結于硅片本體(1)上的涂布嵌設層(3),其特征在于:所述涂布嵌設層(3)上設有防反射涂布層(4),所述導熱粘結層(2)包括固定貼附于硅片本體(1)上的金屬泡沫網結層(201),所述金屬泡沫網結層(201)上分布有多個粘結囊體(202),所述防反射涂布層(4)包括碳纖維網架層,所述碳纖維網架層與涂布嵌設層(3)相貼附一面上涂覆有抗反射涂料,所述涂布嵌設層(3)與碳纖維網架層相貼附一面上涂覆有光阻劑,所述防反射涂布層(4)的外端面設有涂布膠層(5),所述涂布膠層(5)與防反射涂布層(4)相貼附一面涂覆有黑鈷涂層,所述涂布膠層(5)的頂端面涂覆有抗放射涂料。
2.根據權利要求1所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層,其特征在于:所述粘結囊體(202)包括位于嵌設于金屬泡沫網結層(201)網隙內的熱熔性外包囊(2021),所述熱熔性外包囊(2021)內填充有導熱硅膠體(2022),所述熱熔性外包囊(2021)的外端壁上分布有多個纖維絨毛(2023)。
3.根據權利要求1所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層,其特征在于:所述涂布嵌設層(3)與防反射涂布層(4)相貼附一面分布有多個金屬粉末燒結凸起(301),所述防反射涂布層(4)的底端面上分布有多個與金屬粉末燒結凸起(301)位置相匹配的網狀嵌設凹槽(401),所述網狀嵌設凹槽(401)與金屬粉末燒結凸起(301)相互嵌設銜接。
4.根據權利要求3所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層,其特征在于:所述涂布嵌設層(3)上開設有多個滲透孔隙,所述滲透孔隙內填充有石墨烯粉末。
5.根據權利要求1所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層,其特征在于:所述抗反射涂料由超高交聯樹脂、熱致酸發(fā)生劑、表面活性劑、改性粘結劑以及水按照質量分數比為2:1:0.5:0.5:2配比而成。
6.根據權利要求1所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層,其特征在于:所述涂布嵌設層(3)與導熱粘結層(2)相貼附一面涂覆有碳涂層,所述碳涂層內摻雜有活性粘結劑。
7.根據權利要求1-6任一所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層的制備工藝,其特征在于:具體制備工藝步驟如下:
S1、首先技術人員將金屬泡沫網結層(201)貼附于硅片本體(1)上后,向金屬泡沫網結層(201)的網隙中放置多個粘結囊體(202),粘結囊體(202)內填充有導熱硅膠體(2022);
S2、對涂布嵌設層(3)進行加熱處理,將受熱后的涂布嵌設層(3)貼附于金屬泡沫網結層(201)上,涂布嵌設層(3)與金屬泡沫網結層(201)貼附后利用高溫對多個粘結囊體(202)進行熔融,粘結囊體(202)內部的導熱硅膠體(2022)向外擴散并充分填充于金屬泡沫網結層(201)以及涂布嵌設層(3)相貼合面上;
S3、將涂覆有抗反射涂料的防反射涂布層(4)貼附于涂布嵌設層(3)上,防反射涂布層(4)上的網狀嵌設凹槽(401)與涂布嵌設層(3)上的金屬粉末燒結凸起(301)相互切合匹配銜接,抗反射涂料熔融于兩者之間的多孔隙內,經高溫固化;
S4、最后在冷卻的防反射涂布層(4)上涂覆涂布膠層(5),在涂覆涂布膠層(5)之前涂覆于防反射涂布層(4)上涂覆一層黑鈷涂層,并在涂布膠層(5)上加覆一層抗放射涂料,即得到光伏發(fā)電用硅片防反射涂層。
8.根據權利要求7所述的一種光伏發(fā)電用硅片防反射涂層的制備工藝,其特征在于:所述S2中涂布嵌設層(3)的加熱溫度為80-140℃,所述S3中的固化溫度為70-120℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





