[發明專利]一種帶有直通選擇結構的GaAs自偏置低噪聲放大器

有效

• 申請號: 202110861327.8
• 申請日: 2021-07-29
• 公開（公告）號: CN113572437B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 張鐵笛
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03F3/193
• 分類號: H03F3/193;H03F3/45
• 代理公司: 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268
• 代理人: 王偉

1.一種帶有直通選擇結構的GaAs自偏置低噪聲放大器，其特征在于，包括：帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器、帶有開關切換功能的直通通路、V_control與V_DD；帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器與帶有開關切換功能的直通通路各自的輸入端分別與整體電路的輸入端相連，帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器與帶有開關切換功能的直通通路各自的輸出端分別與整體電路的輸出端相連，V_control與V_DD用于給帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器與帶有開關切換功能的直通通路供電；

當V_control=0V時，帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器截止，帶有開關切換功能的直通通路啟動，當V_control=V_DD時，帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器啟動，帶有開關切換功能的直通通路截止；

帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器具體包括第一級放大器與第二級放大器；

所述第一級放大器、第二級放大器結構相同，均包括：RC反饋網絡、放大單元、電流鏡電路、旁路濾波單元、電源控制單元；

所述第一級放大器的放大單元為晶體管M₁，第一級放大器的RC反饋網絡包括串聯的電阻R₁與電容C₅，第一級放大器的RC反饋網絡的兩端分別與晶體管M₁的漏極和柵極相連；第一級放大器的電流鏡電路用于為晶體管M₁提供直流偏置電壓，電流鏡電路一端與晶體管M₁柵極相連，另一端串聯第一級放大器的旁路濾波單元后與第一級放大器的電源控制單元相連，所述第一級放大器的電源控制單元包括：晶體管M₇、電感L₃，晶體管M₇的源極通過電感L₃接晶體管M₁的漏極，晶體管M₇的漏極接電源V_DD，晶體管M₇的柵極連接至V_control；

所述第二級放大器的放大單元為晶體管M₂，第二級放大器的RC反饋網絡包括串聯的電阻R₂與電容C₇，第二級放大器的RC反饋網絡的兩端分別與晶體管M₂的漏極和柵極相連；第二級放大器的電流鏡電路用于為晶體管M₂提供直流偏置電壓，電流鏡電路一端與晶體管M₂柵極相連，另一端串聯第二級放大器的旁路濾波單元后與第二級放大器的電源控制單元相連，所述第二級放大器的電源控制單元包括：晶體管M₉、電感L₈，晶體管M₉的源極通過電感L₈接晶體管M₂的漏極，晶體管M₉的漏極接電源V_DD，晶體管M₉的柵極連接至V_control。

2.根據權利要求1所述的一種帶有直通選擇結構的GaAs自偏置低噪聲放大器，其特征在于，所述帶有開關切換功能的兩級低噪聲放大器包括依次串聯的：輸入開關網絡、輸入匹配網絡、第一級放大器、級間匹配網絡、第二級放大器、輸出匹配網絡以及輸出開關網絡；輸入開關網絡與整體電路的輸入端口相連，輸出開關網絡與整體電路的輸出端口相連。