[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 202110861192.5
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN113611785B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 廣木均典;林茂生;中島健二;福久敏哉;政元啟明;山田篤志
• 申請（專利權）人: 新唐科技日本株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/40;H01L33/32;H01L33/00;B23K20/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

1.一種半導體裝置，

所述半導體裝置具備：

安裝基板；以及

發光二極管芯片，隔著由金而成的金屬凸塊被配置在所述安裝基板，

所述發光二極管芯片具有半導體層疊結構以及第1電極，所述半導體層疊結構具有基板、和從所述基板側依次層疊的第1導電型半導體層、活性層以及第2導電型半導體層，所述第1電極與所述第2導電型半導體層相接配置，

所述安裝基板，具有由陶瓷而成的基板和第2電極，

所述金屬凸塊具有與所述第1電極相接的第1層、以及位于所述第1電極的相反側的第2層，

構成所述第1層的結晶的平均結晶粒徑，比構成所述第2層的結晶的平均結晶粒徑大，

所述第2層位于與所述第1電極隔開的位置，

在將截面圖中晶向的差異以對比度的差異來表示的情況下，示出所述第1層中的單一的對比度的區域所占的比例大于示出所述第2層中的單一的對比度的區域所占的比例。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第1層的結晶與所述第2層的結晶相比，為更向水平方向擴張的形狀。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，

在所述發光二極管芯片、所述安裝基板以及所述金屬凸塊的與所述安裝基板垂直的方向上的截面中，將所述金屬凸塊的截面面積設為S，將所述金屬凸塊的高度設為H時，與所述第1電極相接的所述第1層和所述第1電極的接合部即第1接合部的寬度，比S/H長。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，

所述第2層的寬度比所述S/H短。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第1電極包括金屬膜，該金屬膜與所述第2導電型半導體層相接配置，且對來自所述活性層的光進行反射。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第1層的厚度至少為1μm。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第1電極，由包含障壁電極的層疊結構來構成，所述障壁電極由Ti而成。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述陶瓷是AlN的燒結體。

9.一種半導體裝置，

所述半導體裝置具備：

安裝基板；以及

發光二極管芯片，隔著由金而成的金屬凸塊被配置在所述安裝基板，

所述發光二極管芯片具有半導體層疊結構以及第1電極，所述半導體層疊結構具有基板、和從所述基板側依次層疊的第1導電型半導體層、活性層以及第2導電型半導體層，所述第1電極與所述第2導電型半導體層相接配置，

所述安裝基板，具有由陶瓷而成的基板和第2電極，

所述金屬凸塊具有與所述第1電極相接的第1層、以及位于所述第1電極的相反側的第2層，

構成所述第1層的結晶的平均結晶粒徑，比構成所述第2層的結晶的平均結晶粒徑大，

所述第2層位于與所述第1電極隔開的位置，

在將所述第1層的水平方向的平均結晶粒徑設定為r11、將所述第1層的高度方向的平均結晶粒徑設定為r12、將所述第2層的水平方向的平均結晶粒徑設定為r21、將所述第2層的高度方向的平均結晶粒徑設定為r22時，滿足r11r12、r21r22、r12/r11r22/r21的關系式。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，

所述第1層的結晶與所述第2層的結晶相比，為更向水平方向擴張的形狀。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，

在所述發光二極管芯片、所述安裝基板以及所述金屬凸塊的與所述安裝基板垂直的方向上的截面中，將所述金屬凸塊的截面面積設為S，將所述金屬凸塊的高度設為H時，與所述第1電極相接的所述第1層和所述第1電極的接合部即第1接合部的寬度，比S/H長。