[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110860434.9
• 申請日: 2021-07-27
• 公開（公告）號: CN113594131A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 黃文宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/528;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開涉及半導體封裝裝置及其制造方法。該半導體封裝裝置包括：基板，具有第一表面；線路層，設置于第一表面，具有遠離第一表面的第二表面；通孔，連通第一表面和第二表面，在第二表面具有開口，通孔的側壁設置有第一種子層，第二表面延開口設置有第二種子層，第一種子層和第二種子層在開口處接合，第一種子層的厚度大于第二種子層的厚度。可降低通孔開口處種子層的肩凸高度，進而改善鍍銅制程產生空洞現象的問題。

技術領域

本公開涉及半導體封裝技術領域，具體涉及半導體封裝裝置及其制造方法。

背景技術

目前扇出重布線層的導通孔中，主要先濺鍍種子層后進行鍍銅制程，然而，在進行濺鍍種子層時，一般種子層的厚度約為2.5微米至3微米，若通孔開口尺寸為小尺寸時(本公開中小尺寸即小于60微米，例如：20微米)，在通孔開口上緣側壁的肩凸，如圖1A中虛線部分所示，導致在后續的鍍銅制程中，肩凸處已完成電鍍而通孔內部卻還沒有完成，因此通孔所形成的銅柱中心會產生如圖1B中虛線部分所示的空洞現象。

發明內容

第一方面，本公開提供了一種半導體封裝裝置，包括：

基板，具有第一表面；

線路層，設置于所述第一表面，具有遠離所述第一表面的第二表面；

通孔，連通所述第一表面和所述第二表面，在所述第二表面具有開口，所述通孔的側壁設置有第一種子層，所述第二表面延所述開口設置有第二種子層，所述第一種子層和所述第二種子層在所述開口處接合，所述第一種子層的厚度大于所述第二種子層的厚度。

在一些可選的實施方式中，所述第一種子層近所述第一表面處的厚度大于近所述第二表面處的厚度。

在一些可選的實施方式中，所述第一種子層和所述第二種子層的接合處不連續面。

在一些可選的實施方式中，所述第一表面暴露于所述通孔的部分表面設置有第三種子層，所述第一種子層的厚度大于所述第三種子層的厚度。

在一些可選的實施方式中，所述第一表面設置有線路層，所述第三種子層設置于所述線路層。

在一些可選的實施方式中，所述通孔的側壁包括由所述第一表面向所述第二表面依次設置的N個弧形凹槽，N為正整數。

在一些可選的實施方式中，所述第一種子層包括設置于所述弧形凹槽的子種子層，所述子種子層設置于近所述弧形凹槽中心的厚度大于所述子種子層設置于近所述弧形凹槽邊緣的厚度。

在一些可選的實施方式中，設置于第N個弧形凹槽的子種子層包括在所述弧形凹槽表面依次設置的N組鈦層和銅層，其中，所述鈦層的厚度和所述銅層的厚度與所述子種子層的厚度相對應。

在一些可選的實施方式中，所述裝置還包括：

粘合層，設置于所述基板和所述線路層之間。

在一些可選的實施方式中，所述基板具有與所述第一表面相對的第三表面，以及所述裝置還包括：

電連接件，設置于所述第三表面，與所述基板電連接。

在一些可選的實施方式中，所述通孔的孔徑小于60微米。

在一些可選的實施方式中，所述通孔的深度與所述通孔的孔徑比值大于1.2。

在一些可選的實施方式中，所述第二種子層的厚度大于等于50納米。

第二方面，本公開提供了一種制造半導體封裝裝置的方法，包括：

提供基板，所述基板具有第一表面；

提供線路層，將所述線路層設置于所述第一表面，所述線路層具有遠離所述第一表面的第二表面；