[發(fā)明專利]相位移掩模版、掩模版修補方法及設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110858794.5
• 申請日: 2021-07-28
• 公開（公告）號: CN113467180A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張哲瑋;高翌;朱佳楠
• 申請（專利權(quán)）人: 泉意光罩光電科技（濟南）有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/72
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 董艷芳

1.一種掩模版修補方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取目標相移掩模版，其中所述目標相移掩模版包括層疊設(shè)置的遮光層及相移層，所述遮光層在所述目標相移掩模版的掩模圖案區(qū)域內(nèi)存在有遮光材料殘留物，所述相移層包括與遮光材料殘留物投影位置重疊的第一相移區(qū)域；

對位于所述目標相移掩模版的掩模圖案區(qū)域內(nèi)的遮光材料殘留物進行局部去除，以將所述遮光材料殘留物構(gòu)建為目標光柵結(jié)構(gòu)，使所述第一相移區(qū)域的靠近所述目標光柵結(jié)構(gòu)的區(qū)域表面相對于所述目標光柵結(jié)構(gòu)部分暴露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

獲取待校驗相移掩模版，其中所述待校驗相移掩模版包括層疊設(shè)置的遮光層及相移層；

檢測所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)是否殘留有遮光材料；

在檢測到所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)殘留有遮光材料的情況下，直接將所述待校驗相移掩模版作為所述目標相移掩模版。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述檢測所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)是否殘留有遮光材料的步驟，包括：

獲取所述待校驗相移掩模版的真實曝光圖形以及仿真曝光圖形；

確定所述真實曝光圖形與所述仿真曝光圖形之間的圖形線寬差異數(shù)值；

將所述圖形線寬差異數(shù)值與預設(shè)線寬差異閾值進行比較，并在所述圖形線寬差異數(shù)值大于所述預設(shè)線寬差異閾值的情況下，判定所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)殘留有遮光材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的方法，其特征在于，構(gòu)建出的所述目標光柵結(jié)構(gòu)中相鄰兩個柵條之間的距離，與使用所述目標相移掩模版所需的光刻光源波長相等。

5.一種掩模版修補設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：

掩模版獲取模塊，用于獲取目標相移掩模版，其中所述目標相移掩模版包括層疊設(shè)置的遮光層及相移層，所述遮光層在所述目標相移掩模版的掩模圖案區(qū)域內(nèi)存在有遮光材料殘留物，所述相移層包括與遮光材料殘留物投影位置重疊的第一相移區(qū)域；

殘留物去除模塊，用于對位于所述目標相移掩模版的掩模圖案區(qū)域內(nèi)的遮光材料殘留物進行局部去除，以將所述遮光材料殘留物構(gòu)建為目標光柵結(jié)構(gòu)，使所述第一相移區(qū)域的靠近所述目標光柵結(jié)構(gòu)的區(qū)域表面相對于所述目標光柵結(jié)構(gòu)部分暴露。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備還包括殘留物檢測模塊及掩模版評判模塊；

所述掩模版獲取模塊，還用于獲取待校驗相移掩模版，其中所述待校驗相移掩模版包括層疊設(shè)置的遮光層及相移層；

所述殘留物檢測模塊，用于檢測所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)是否殘留有遮光材料；

所述掩模版評判模塊，用于在檢測到所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)殘留有遮光材料的情況下，直接將所述待校驗相移掩模版作為所述目標相移掩模版。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述殘留物檢測模塊包括：

曝光圖形獲取子模塊，用于獲取所述待校驗相移掩模版的真實曝光圖形以及仿真曝光圖形；

圖形差異確定子模塊，用于確定所述真實曝光圖形與所述仿真曝光圖形之間的圖形線寬差異數(shù)值；

遮光殘留評判子模塊，用于將所述圖形線寬差異數(shù)值與預設(shè)線寬差異閾值進行比較，并在所述圖形線寬差異數(shù)值大于所述預設(shè)線寬差異閾值的情況下，判定所述待校驗相移掩模版的遮光層在對應掩模圖案區(qū)域內(nèi)殘留有遮光材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任意一項所述的設(shè)備，其特征在于，構(gòu)建出的所述目標光柵結(jié)構(gòu)中相鄰兩個柵條之間的距離，與使用所述目標相移掩模版所需的光刻光源波長相等。