[發明專利]降低電壓的發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202110856930.7
• 申請日: 2021-07-28
• 公開（公告）號: CN113809213A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 陶剛;李俊生;胡根水;孫虎
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/42;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種降低電壓的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括n電極、p電極與外延片，所述外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型層、多量子阱層、p型層、電流阻擋層與復合透明導電層，所述電流阻擋層在所述襯底的表面的正投影小于所述p型層在所述襯底的表面的正投影，

所述復合透明導電層包括依次層疊的第一透明導電子層與第二透明導電子層，所述第一透明導電子層覆蓋所述電流阻擋層所有表面，所述第一透明導電子層具有與所述襯底的表面平行的第一表面，所述第二透明導電子層在所述襯底的表面的正投影的外輪廓與所述電流阻擋層在所述襯底的表面的正投影的外輪廓重合，

所述n電極與所述n型層連通，所述p電極與所述第二透明導電子層連通。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一透明導電子層的厚度與所述第二透明導電子層的厚度之比為1:10～10:1。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一透明導電子層的厚度為所述第二透明導電子層的厚度為

4.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一表面與所述電流阻擋層之間最小的距離為5μm～100μm。

5.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述復合透明導電層還包括透明介質子層，所述透明介質子層與所述第二透明導電子層分別層疊在所述第一透明導電子層的表面的不同區域。

6.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述電流阻擋包括依次層疊在所述p型層上的第一電流阻擋子層與第二電流阻擋子層，所述第一電流阻擋子層的密度小于所述第二電流阻擋子層的密度。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一電流阻擋子層的厚度與第二電流阻擋子層的厚度之比為1:1～5:1。

8.一種降低電壓的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長n型層、多量子阱層、p型層、電流阻擋層與復合透明導電層以得到外延片，所述外延片中，所述電流阻擋層在所述襯底的表面的正投影小于所述p型層在所述襯底的表面的正投影，所述復合透明導電層包括依次層疊的第一透明導電子層與第二透明導電子層，所述第一透明導電子層覆蓋所述電流阻擋層所有表面，所述第一透明導電子層具有與所述襯底的表面平行的第一表面，所述第二透明導電子層在所述襯底的表面的正投影的外輪廓與所述電流阻擋層在所述襯底的表面的正投影的外輪廓重合；

形成n電極與p電極，所述n電極與所述n型層連通，所述p電極與所述第二透明導電子層連通。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，生長所述復合透明導電層，包括：

在所述電流阻擋層與所述p型層的表面形成第一透明導電子層；

在所述第一透明導電子層的表面形成第二透明導電子層，以得到復合透明導電層，所述第二透明導電子層的氣體環境中的氧含量小于所述第一透明導電子層的氣體環境中的氧含量。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，生長所述電流阻擋層，包括：

使用等離子體增強化學的氣相沉積設備生長第一電流阻擋子層；

使用原子層沉積設備生長第二電流阻擋子層以得到所述電流阻擋層，所述電流阻擋層中，所述第一電流阻擋子層的密度小于所述第二電流阻擋子層的密度。