[發(fā)明專利]一種選擇性真空樹脂塞孔工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110856152.1 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113613390A | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王樹波;司俊峰;柯小龍;馬金山;文旭波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市普林電路有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05K3/00 | 分類號(hào)： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11947 | 代理人： | 孫瑞峰 |
| 地址： | 518104 廣東省深圳市寶安*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 選擇性 真空 樹脂 工藝 | ||
本發(fā)明涉及線路板制作技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種選擇性真空樹脂塞孔工藝。包括具體步驟如下：鉆孔，基板鉆孔時(shí)，鉆有需要樹脂塞孔的孔；鍍銅，對(duì)基板進(jìn)行沉銅、整板電鍍加工；對(duì)基板進(jìn)行OSP加工；步驟四：貼膜，對(duì)基板貼干膜；褪膜，可選用無機(jī)堿褪膜液或有機(jī)堿褪膜液進(jìn)行褪膜；樹脂塞孔，采用整板真空塞孔機(jī)以整板涂覆方式對(duì)褪膜后的基板進(jìn)行樹脂塞孔；研磨，完成樹脂塞孔的基板進(jìn)行烘烤，進(jìn)行樹脂研磨。本發(fā)明提供一種實(shí)現(xiàn)了高厚徑比大小孔同步塞孔，解決了高厚徑比大小孔同時(shí)塞孔的難點(diǎn)，且保證各種孔內(nèi)塞孔飽滿，沒有氣泡，孔口平整無凹陷，同時(shí)適用于不同孔徑的PCB板選用不同褪膜時(shí)間的褪膜液的一種選擇性真空樹脂塞孔工藝。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及線路板制作技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種選擇性真空樹脂塞孔工藝。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)多層印制電路板的垂直互連主要通過過孔進(jìn)行導(dǎo)通互連，過孔互連可靠是多層印制板長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。隨著電子產(chǎn)品的高密度化需求,印制板過孔設(shè)計(jì)越來越小，厚徑比越來越高,較多印制板采用賁中孔、百埋孔設(shè)計(jì)等。以上種種需求都要求印制板制造過程中對(duì)過孔做處理，最普遍做法是做樹脂塞孔處理。樹脂塞孔工藝目前主要有輾涂、擠壓、網(wǎng)印等方式，以上塞孔方式各有特點(diǎn)，但都面臨著塞孔氣泡、孔口樹脂有凹陷、樹后與銅結(jié)合是否緊密的問題。特別是針對(duì)高厚徑比多種孔徑的PCB板，由于大、小孔塞孔所需的壓力不同，現(xiàn)行工藝采用小壓力，多刀塞，易出現(xiàn)孔內(nèi)空洞、孔口樹脂有凹陷等不良現(xiàn)象，而采用大小孔分步塞孔，生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種實(shí)現(xiàn)了高厚徑比大小孔同步塞孔，解決了高厚徑比大小孔同時(shí)塞孔的難點(diǎn)，且保證各種孔內(nèi)塞孔飽滿，沒有氣泡，孔口平整無凹陷，同時(shí)適用于不同孔徑的PCB板選用不同褪膜時(shí)間的褪膜液的一種選擇性真空樹脂塞孔工藝。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：一種選擇性真空樹脂塞孔工藝，其特征在于：包括具體步驟如下：
步驟一：鉆孔，基板鉆孔時(shí)，鉆有需要樹脂塞孔的孔；
步驟二：鍍銅，對(duì)基板進(jìn)行沉銅、整板電鍍加工；
步驟三：對(duì)基板進(jìn)行OSP加工；
步驟四：貼膜，對(duì)基板貼干膜；
步驟五：褪膜，可選用無機(jī)堿褪膜液或有機(jī)堿褪膜液進(jìn)行褪膜；
步驟六：樹脂塞孔，采用整板真空塞孔機(jī)以整板涂覆方式對(duì)褪膜后的基板進(jìn)行樹脂塞孔；
步驟七：研磨，完成樹脂塞孔的基板進(jìn)行烘烤，進(jìn)行樹脂研磨。
所述無機(jī)堿褪膜液的反應(yīng)為：Na+OH-+R1COOH→R1COO-Na++H2O。
所述有機(jī)堿褪膜液的反應(yīng)為：RNH2+R1COOH→R1COO-+RNH3+。
所述無機(jī)堿褪膜液和有機(jī)堿褪膜液的褪膜過程為：
S1：擴(kuò)散/膨脹：褪膜液中的小分子擴(kuò)散至干膜中，干膜逐漸膨脹；
S2：反應(yīng)：褪膜液中的堿性基團(tuán)與干膜粘合劑中的羧酸類基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)，生成溶于水的鹽類物質(zhì)；
S3：界面攻擊/裂解：筐膜液分子持續(xù)攻擊銅/干膜的結(jié)合處，滲入干膜內(nèi)部褪膜液與干膜發(fā)生發(fā)生反應(yīng)，增大了內(nèi)應(yīng)力，干膜開始破裂；
S4：剝離：筐膜液持續(xù)滲透到干膜中，并攻擊干膜與銅面結(jié)合處，直至結(jié)合力喪失，干膜完成筐膜。
所述基板選用環(huán)氧基板網(wǎng)版。
所述烘烤溫度75℃～140℃，烘烤時(shí)間20～35分鐘。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市普林電路有限公司，未經(jīng)深圳市普林電路有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110856152.1/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
