[發(fā)明專利]可程序化存儲器元件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110855904.2
• 申請日: 2021-07-28
• 公開（公告）號: CN114078859A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃慶玲
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L21/8246
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

1.一種可程序化存儲器元件，包括：

一主動區(qū)，形成在一基底中，并具有一線性頂視形狀；

一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該基底上，并具有一線性部，該線性部與該主動區(qū)遠(yuǎn)離該主動區(qū)的二端部的一區(qū)段交叉；以及

一反熔絲儲存單元，使用該主動區(qū)的一部分當(dāng)作一端子，且還包括一電極以及一介電層，其中該電極設(shè)置在該主動區(qū)的該部分上，并遠(yuǎn)離該柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置，以及該介電層夾置在該主動區(qū)的該部分與該電極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的可程序化存儲器元件，其中該柵極結(jié)構(gòu)形成呈一環(huán)形形狀。

3.如權(quán)利要求2所述的可程序化存儲器元件，其中該主動區(qū)的多個所述端部其中之一與被該柵極結(jié)構(gòu)側(cè)向圍繞的一區(qū)域重疊。

4.如權(quán)利要求1所述的可程序化存儲器元件，其中該主動區(qū)的該二端部為一第一端部以及一第二端部，相較于該主動區(qū)的該第二端部，該柵極結(jié)構(gòu)比較靠近該主動區(qū)的該第一端部，以及相較于該主動區(qū)的該第一端部，該反熔絲儲存單元比較靠近該主動區(qū)的該第二端部。

5.如權(quán)利要求1所述的可程序化存儲器元件，還包括一絕緣結(jié)構(gòu)，形成在該基底中，并側(cè)向圍繞該主動區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的可程序化存儲器元件，其中該柵極結(jié)構(gòu)同時與該絕緣結(jié)構(gòu)以及該主動區(qū)的該區(qū)段重疊。

7.如權(quán)利要求6所述的可程序化存儲器元件，還包括一柵極介電層，選擇地設(shè)置在該柵極結(jié)構(gòu)與該主動區(qū)的該區(qū)段之間。

8.如權(quán)利要求7所述的可程序化存儲器元件，其中該柵極介電層的一厚度不同于該反熔絲儲存單元的該介電層的一厚度。

9.如權(quán)利要求1所述的可程序化存儲器元件，還包括一柵極間隙子，覆蓋該柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)壁。

10.如權(quán)利要求1所述的可程序化存儲器元件，還包括一接觸栓塞，設(shè)置在該柵極結(jié)構(gòu)上，且電性連接到該柵極結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求10所述的可程序化存儲器元件，其中該接觸栓塞遠(yuǎn)離該主動區(qū)設(shè)置。

12.如權(quán)利要求10所述的可程序化存儲器元件，其中該接觸栓塞的一上表面與該反熔絲儲存單元的該電極的一上表面為共面。

13.一種可程序化存儲器元件，包括：

一存取晶體管，包括一主動區(qū)以及一柵極結(jié)構(gòu)，該主動區(qū)形成在一基底中，該柵極結(jié)構(gòu)形成在該基底上，其中該主動區(qū)具有一線性頂視形狀，該柵極結(jié)構(gòu)具有一第一部分以及一第二部分，該第一部分與該主動區(qū)遠(yuǎn)離該主動區(qū)的各端部的一區(qū)段交叉，以及該第二部分側(cè)向遠(yuǎn)離該主動區(qū)設(shè)置；以及

一電容器，使用該主動區(qū)的一部分當(dāng)作一端子，以及還包括一電極以及一介電層，其中該電極設(shè)置在該主動區(qū)的該部分上，并遠(yuǎn)離該柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置，以及該介電層的至少一部分夾置在該電極與該主動區(qū)的該部分之間。

14.如權(quán)利要求13所述的可程序化存儲器元件，其中該柵極結(jié)構(gòu)的該第一與第二部分相互連接。

15.如權(quán)利要求13所述的可程序化存儲器元件，其中該主動區(qū)的多個所述端部其中之一位于該柵極結(jié)構(gòu)的該第一與第二部分之間。