[發明專利]一種射頻預失真線性化電路及射頻功率放大器

在審

• 申請號: 202110854856.5
• 申請日: 2021-07-28
• 公開（公告）號: CN113489461A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 李鎮兵;李澤華;孫浩洋;文光俊
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21
• 代理公司: 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268
• 代理人: 王偉

1.一種射頻功率放大器的射頻預失真線性化電路，具體包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一電容、第一電阻、第二電阻、偏置電源和參考電源；其中，第一晶體管的基極與第一電阻的一端相連接，作為所述射頻預失真線性化電路的輸入端，第一電阻的另一端與第二晶體管的發射極相連，第二晶體管的集電極連接到偏置電源；第一電容的一端與第二晶體管的基極、第三晶體管的基極及集電極、第二電阻的一端連接在一起，第二電阻的另一端連接到參考電源；第三晶體管的發射極與第四晶體管的基極和集電極相連，第四晶體管的發射極連接到地；第一晶體管的發射極連接到地，第一晶體管的集電極作為所述射頻預失真線性化電路的輸出端。

2.根據權利要求1所述的射頻預失真線性化電路，其特征在于，所述的晶體管具體為HBT異質結雙極型晶體管。

3.根據權利要求2所述的射頻預失真線性化電路，其特征在于，所述的第二晶體管具體為單枚發射極寬度3μm、長度40μm，集電極寬度4μm、指數為4的HBT晶體管，所述第三晶體管具體為單枚發射極寬度2μm、長度10μm，集電極寬度4μm、指數為1的HBT晶體管。

4.根據權利要求3所述的射頻預失真線性化電路，其特征在于，所述第四晶體管具體為單枚發射極寬度2μm、長度10μm，集電極寬度4μm、指數為1的HBT晶體管。

5.一種射頻功率放大器，包括權利要求1-5任一項權利要求所述的射頻預失真線性化電路。