[發明專利]一種高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法

在審

• 申請號: 202110853378.6
• 申請日: 2021-07-27
• 公開（公告）號: CN113699335A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 孫應軍;周小兵;蔣國強;廖子東;張浩;石秋生;馮富友;潘澤林;莫杰輝;李學保;解世寧;戴堅輝
• 申請（專利權）人: 寶武杰富意特殊鋼有限公司
• 主分類號: C21D1/84
• 分類號: C21D1/84;C21D6/00;B21B45/04;B21B1/08
• 代理公司: 韶關市雷門專利事務所 44226
• 代理人: 周勝明

1.一種高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，包括鑄坯緩冷、加熱爐再熱、高壓水除鱗和軋制的步驟；

鑄坯緩冷：高溫的鑄坯進入緩冷坑，進入緩冷坑時鑄坯的溫度大于或等于600℃，待鑄坯的溫度下降至200℃后，鑄坯離開緩冷坑；

加熱爐再加熱：離開緩冷坑的鑄坯進入加熱爐，鑄坯在加熱爐內的停留時間大于或等于230min，鑄坯在加熱爐內的加熱過程分為預熱段、一加熱段、二加熱段和均熱段，其中，鑄坯在預熱段的加熱溫度小于或等于680℃，鑄坯在一加熱段出段溫度小于或等于850℃，一加熱段出段溫度采用模型溫度控制，鑄坯在二加熱段的溫度是1080℃-1140℃，鑄坯在均熱段的溫度是1090℃-1120℃；

高壓水除鱗：鑄坯離開加熱爐后，經高壓除鱗機除鱗，除去鑄坯表面氧化皮；

軋制：對除鱗后的鑄坯進行軋制，將鑄坯軋制成所需規格的圓鋼。

2.如權利要求1所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在加熱爐再加熱的步驟，加熱爐內的爐氣殘氧濃度是1％-1.5％，且均熱段的空燃比小于或等于1.8：1。

3.如權利要求2所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在加熱爐再加熱的步驟，鑄坯在預熱段的停留時間大于或等于100min。

4.如權利要求2所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在加熱爐再加熱的步驟，鑄坯在一加熱段的停留時間大于或等于50min，鑄坯在一加熱段出段溫度小于或等于850℃。

5.如權利要求2所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在加熱爐再加熱的步驟，鑄坯在二加熱段的加熱溫度是1080℃-1120℃。

6.如權利要求5所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在加熱爐再加熱的步驟，鑄坯在均熱段的溫度是1090℃-1110℃。

7.如權利要求6所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在加熱爐再加熱的步驟，鑄坯在二加熱段和均熱段停留的時間之和大于或等于80min，且小于或等于130min。

8.如權利要求7所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，當鑄坯在高溫段停留的時間達到上限時間，控制均熱段的溫度下降至下限的溫度。

9.如權利要求1所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在高壓水除鱗的步驟，高壓除鱗機的除鱗水壓力大于或等于23Mpa。

10.如權利要求1所述的高品質60Si2Mn低脫碳層的制造方法，其特征在于，在軋制的步驟，開軋溫度大于或等于1020℃，終軋溫度大于或等于800℃。