[發明專利]功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及其制造方法

在審

• 申請號: 202110852948.X
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN113594251A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 約根德拉·亞達夫;陳吉智;柳瑞興;姚智文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件，包括：

襯底；

場板，位于所述襯底上方；

柵電極，具有第一部分和第二部分，其中，所述柵電極的所述第一部分位于所述場板上方；

第一介電層，位于所述柵電極的所述第一部分與所述場板之間；

第二介電層，位于所述場板和所述襯底之間，其中，所述第二介電層由同種材料形成；

第一間隔件，橫向圍繞所述第一介電層；

第二間隔件，位于所述襯底上，與所述第二介電層的側壁和所述第一間隔件的側壁接觸且與所述場板分隔，并且所述第二間隔件的部分與位于所述襯底的所述功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管器件的漏極區重疊；以及

硅化物，形成在所述柵電極的頂面上且完全覆蓋所述柵電極。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第二間隔件與所述襯底中的第一漂移區的邊界重疊。

3.根據權利要求1所述的器件，還包括：第三間隔件，位于所述襯底上且與所述柵電極的側壁接觸。

4.一種功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件，包括：

襯底，具有頂面；

場板，位于所述襯底上方；

柵電極，具有第一部分和第二部分，其中，所述柵電極的所述第一部分位于所述場板上方；

第一介電層，位于所述襯底和所述場板之間，并且所述第一介電層由同種材料形成；

第一間隔件，位于所述第一介電層的頂面上；以及

第二間隔件，位于所述襯底上且與所述第一介電層的側壁和所述第一間隔件的側壁接觸，并且與所述場板分隔，所述第二間隔件的部分與位于所述襯底的所述功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管器件的漏極區重疊；以及

硅化物，形成在所述柵電極的頂面上且完全覆蓋所述柵電極。

5.根據權利要求4所述的器件，其中，所述第一間隔件隔離所述場板和所述柵電極。

6.根據權利要求4所述的器件，其中，所述場板與所述襯底中的第一漂移區和第二漂移區的邊界重疊。

7.一種制造功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件的方法，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上方形成場板；

形成環繞所述場板的側壁的第一間隔件；

在所述內部間隔件上方形成導電層；

圖案化所述導電層以形成柵電極；

在所述襯底上形成第二間隔件，其中，所述第二間隔件與所述第一間隔件的側壁接觸且與所述場板分隔，所述第二間隔件的部分與位于所述襯底中的所述功率金屬-氧化物半導體場效應晶體管器件的漏極區重疊；以及

在所述所述柵電極的頂面上形成硅化物，其中，所述硅化物完全覆蓋所述柵電極。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：在形成所述導電層之前形成柵電極介電層。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述導電層還包括在所述場板和所述襯底的頂表面上方共形地形成所述導電層。

10.根據權利要求7所述的方法，還包括：在形成所述第一間隔件之前在所述場板上形成第一介電層。