[發明專利]III族氮化物層疊體的制造方法、檢查方法、以及III族氮化物層疊體

在審

• 申請號: 202110851983.X
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN113684539A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 堀切文正;三島友義
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社;賽奧科思有限公司;學校法人法政大學
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B29/68;C30B25/20;C23C16/34;C23C16/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種III族氮化物層疊體，其具有III族氮化物基板和在所述III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延層，

所述III族氮化物基板在所述III族氮化物基板的主面內具有5×10⁶cm^-2以下的最大缺陷密度，并且，

在通過所述III族氮化物基板的所述主面上劃定的位置A且與所述位置A的偏離角的方位平行的線段B上配置的各位置處，偏離角的方位與所述位置A相同，且偏離角的大小從所述線段B的一端向另一端與從所述一端起的距離成比例地單調變化，

所述III族氮化物外延層具有低于1×10¹⁶cm^-3的n型雜質濃度，并且具有為所述n型雜質的濃度的1/10以上且所述n型雜質的濃度以下的碳濃度。

2.根據權利要求1所述的III族氮化物層疊體，其中，在所述主面上，作為所述線段B，存在長度延及2英寸的線段。

3.根據權利要求1或2所述的III族氮化物層疊體，其中，在所述主面中，所述最大缺陷密度為平均缺陷密度的10倍以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，在所述主面的整個區域中，偏離角的大小為0.1°以上。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，所述III族氮化物基板的中心的偏離角的方位與a軸方向平行。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，所述III族氮化物基板的中心的偏離角的方位與m軸方向平行。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，在所述III族氮化物基板與所述III族氮化物外延層之間夾有其他III族氮化物外延層。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，所述III族氮化物外延層所具有的受主濃度具有與所述III族氮化物外延層中的、光致發光的黃色發光強度相對于帶邊發光強度之比即相對黃色強度成比例的傾向。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，所述III族氮化物外延層中的、受主濃度相對于碳濃度的比率即碳的活化率為50％以下。

10.根據權利要求2～9中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，關于所述III族氮化物外延層中的、光致發光的黃色發光強度相對于帶邊發光強度之比即相對黃色強度，

所述III族氮化物基板的主面的法線方向與c軸方向所成的偏離角的大小與相對黃色強度的對應關系具有如下的傾向：隨著偏離角的大小增加，相對黃色強度減少，并且相對黃色強度減少的程度變小。

11.根據權利要求2～9中任一項所述的III族氮化物層疊體，其中，關于所述III族氮化物外延層中的、光致發光的黃色發光強度相對于帶邊發光強度之比即相對黃色強度，

在所述III族氮化物外延層上，相對黃色強度顯示第一恒定值的位置沿著第一圓弧、或第一橢圓弧分布，相對黃色強度顯示與所述第一恒定值不同的第二恒定值的位置沿著與所述第一圓弧同心的第二圓弧、或與所述第一橢圓弧同心的第二橢圓弧分布。