[發明專利]同步整流控制電路及應用其的開關電源

在審

• 申請號: 202110851488.9
• 申請日: 2021-07-27
• 公開（公告）號: CN113659811A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 李新磊;張莎莎
• 申請（專利權）人: 西安矽力杰半導體技術有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種同步整流控制電路及應用其的開關電源，在同步整流控制電路上電后，且其供電電壓達到開啟閾值前的時間區間內，通過下拉同步整流管的驅動電壓至其開啟電壓以下，以使得同步整流管在所述時間區間內保持關斷，從而避免由于同步整流管在啟機階段誤開通而出現負電流的情況發生。

技術領域

本發明涉及一種電力電子技術，更具體地說，涉及一種同步整流控制電路及應用其的開關電源。

背景技術

現有技術中，同步整流是采用通態電阻低的功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一種方法。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能。

在電路中的大多數情況下，同步整流芯片是被動型芯片，主控芯片先開始工作，在同步整流MOSFET上產生開關信號，初始時刻同步整流控制器供電引腳電壓沒有超過內部供電開啟電壓，不能工作，只能依靠同步整流MOSFET的體二極管工作；當同步整流控制器的供電引腳的電壓超過內部供電開啟電壓后，同步整流芯片開始工作。

但是實際上，在同步整流控制器供電引腳電壓沒有超過內部供電開啟電壓前，由于同步整流芯片內部邏輯沒有工作，同步整流MOSFET的柵極電壓處于高阻狀態，由于同步整流MOSFET的漏柵極的電容Cgd存在，在同步整流MOSFET的漏極電壓上升時，其柵極電壓會被耦合升高，從而引起同步整流MOSFET誤開通，出現負電流。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種同步整流控制電路及應用其的開關電源，以解決現有的啟機時，同步整流MOSFET誤開通，出現負電流的問題。

第一方面，提供一種同步整流控制電路，用于控制同步整流管的導通狀態，其特征在于，包括：

驅動下拉電路，用以在所述同步整流控制電路上電后，且其供電電壓達到開啟閾值前的時間區間內，通過控制所述同步整流管的驅動電壓以使得所述同步整流管在所述時間區間內保持關斷。

優選地，所述驅動下拉電路通過在所述時間區間內，將所述同步整流管的驅動電壓下拉至所述同步整流管的開啟電壓以下以使得所述同步整流管在所述時間區間內保持關斷。

優選地，所述驅動下拉電路通過在所述時間區間內，將所述同步整流管的驅動電壓下拉至地電平以使得所述同步整流管在所述時間區間內保持關斷。

優選地，所述驅動下拉電路在所述時間區間內，通過所述同步整流管的漏極電壓供電以進行工作。

優選地，所述驅動下拉電路包括下拉電路，所述下拉電路在所述時間區間內將所述同步整流管的驅動電壓下拉以使得所述同步整流管在所述時間區間內保持關斷，且在所述時間區間以外切斷下拉所述同步整流管的驅動電壓的通路。

優選地，所述下拉電路包括下拉晶體管，其中，所述下拉晶體管耦接至所述同步整流管的柵極與第一電平之間，當所述下拉晶體管導通時，所述同步整流管的柵極耦接第一電平以在所述時間區間內保持關斷，所述第一電平小于所述同步整流管的開啟電壓。

優選地，所述下拉電路還包括一使能電路，所述使能電路連接至所述下拉晶體管的柵極和源極之間，當所述使能電路斷開時，所述下拉晶體管受控導通或關斷；當所述使能電路導通時，所述下拉晶體管的柵極和源極被短接以使得所述下拉晶體管關斷。

優選地，所述使能電路包括一晶體管，其在所述同步整流控制電路的供電電壓達到所述開啟閾值前保持關斷；在所述同步整流控制電路的供電電壓達到所述開啟閾值后保持導通。

優選地，所述驅動下拉電路還包括下拉供電電路，所述下拉供電電路在所述時間區間內，將所述同步整流管的漏極電壓轉換為用于驅動所述下拉電路中下拉晶體管的驅動電壓。