[發明專利]微影系統及形成半導體裝置的方法在審
| 申請號: | 202110851441.2 | 申請日: | 2021-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN113594073A | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 王紹華;郭爵旗;何奎霖;楊宗祐;孫晟維;陳威遠;陳振杰;劉恒信;陳立銳 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 系統 形成 半導體 裝置 方法 | ||
1.一種形成半導體裝置的方法,其特征在于,包含:
在一晶圓臺上的一晶圓載物臺上方傳送一晶圓,該晶圓臺包含:
一臺主體,該晶圓載物臺可移動地安置于該臺主體上方;
一第一滑動部件,該第一滑動部件耦接至該晶圓載物臺;
一第二滑動部件,該第二滑動部件耦接至該臺主體的一邊緣,該第二滑動部件為沿著一第一方向可移動的,其中該第一滑動部件耦接至該第二滑動部件的一軌道,該第一滑動部件為沿著垂直于該第一方向的一第二方向可移動的;
一第一纜線,該第一纜線耦接至該晶圓載物臺且沿著該第二方向延伸;
固定該第一纜線的一第一托架及一第二托架,該第一托架及該第二托架通過一板彈簧連接;以及
一擋止器,該擋止器安置于該第一纜線下方;以及
朝向該臺主體的該邊緣移動該晶圓載物臺,使得該晶圓載物臺向外推動該第一纜線,使得該板彈簧朝向該擋止器的面向該板彈簧的一表面上的一第一保護膜移動。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,朝向該臺主體的該邊緣移動該晶圓載物臺的步驟經執行,使得該第一保護膜與該板彈簧的面向該擋止器的一表面上的一第二保護膜直接接觸。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,該晶圓臺進一步包含:
一第二纜線,該第二纜線耦接至該第二滑動部件且沿著該第一方向延伸;
固定該第二纜線的一第三托架,該第三托架耦接至一滾筒結構,其中該滾筒結構包含一主體及耦接至該主體的一輪子;以及
一軌條導塊,其中該滾筒結構為沿著該軌條導塊的一表面可移動的;以及
該方法進一步包含沿著該第一方向移動該晶圓載物臺,使得該滾筒結構沿著該軌條導塊的一表面上的一第二保護膜移動。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,一第三保護膜安置于該滾筒結構的該主體上。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,進一步包含:
判定該第一保護膜的一表面條件是否為可接受的;以及
回應于該判定來決定該表面條件為不可接受的,用一新的第一保護膜替換該第一保護膜。
6.一種形成半導體裝置的方法,其特征在于,包含:
將一晶圓傳送至一裝載鎖定件的一第一腔室中,該第一腔室耦接至一閘閥總成,該閘閥總成具有一閘閥密封件及抵靠該閘閥密封件的一表面上的一保護膜按壓的一閘;
向下移動該閘遠離該閘閥密封件的該表面上的該保護膜以顯露該閘閥密封件的一開口;
經由該閘閥密封件的該開口將該晶圓自該第一腔室傳送至一第二腔室;以及
在該第二腔室中對該晶圓執行一半導體制程。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,進一步包含:
在將該晶圓自該第一腔室傳送至該第二腔室之后且在執行該半導體制程之前,向上移動該閘以再次抵靠該閘閥密封件的該表面上的該保護膜按壓該閘的一密封材料。
8.一種微影系統,其特征在于,包含:
一臺主體;
一晶圓載物臺,該晶圓載物臺可移動地安置于該臺主體上方;
一第一滑動部件,該第一滑動部件耦接至該晶圓載物臺;
耦接至該臺主體的一邊緣的一第二滑動部件,該第二滑動部件為沿著一第一方向可移動的,其中該第一滑動部件耦接至該第二滑動部件的一軌道,該第一滑動部件為沿著垂直于該第一方向的一第二方向可移動的;
一第一纜線,該第一纜線耦接至該第二滑動部件且沿著該第一方向延伸;
固定該第一纜線的一第一托架,該第一托架耦接至一滾筒結構,其中該滾筒結構包含一主體及耦接至該主體的一輪子;
一軌條導塊,該軌條導塊限制該滾筒結構的該輪子的一移動;以及
一第一保護膜,該第一保護膜粘附至該軌條導塊的一表面,其中該滾筒結構為沿著該軌條導塊的該表面上的該第一保護膜可移動的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





