[發明專利]碳化硅晶片及其制備方法在審
| 申請號： | 202110850949.0 | 申請日： | 2021-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN114078690A | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發明（設計）人： | 林欽山 | 申請（專利權）人： | 環球晶圓股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋興;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 晶片 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的5mm的范圍面積內，不存在由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界，且所述碳化硅晶片的彎曲度小于15μm。
2.根據權利要求1所述的碳化硅晶片，其特征在于，所述碳化硅晶片的翹曲度小于30μm。
3.根據權利要求1所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的10mm的范圍面積內，由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界小于所述范圍面積的7％。
4.根據權利要求3所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的10mm的范圍面積內，不存在由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界。
5.根據權利要求1所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的15mm的范圍面積內，由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界小于所述范圍面積的10％。
6.根據權利要求5所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的15mm的范圍面積內，不存在由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界。
7.根據權利要求1所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的20mm的范圍面積內，由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界小于所述范圍面積的30％。
8.根據權利要求7所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的20mm的范圍面積內，由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界小于所述范圍面積的20％。
9.根據權利要求7所述的碳化硅晶片，其特征在于，在離所述碳化硅晶片邊緣的20mm的范圍面積內，不存在由基面差排缺陷所聚集形成的小角度晶界。
10.根據權利要求1所述的碳化硅晶片，其特征在于，所述碳化硅晶片中的基面差排缺陷的密度為210個/cm2至450個/cm2。
11.一種碳化硅晶片的制備方法，其特征在于，包括：
提供種晶，所述種晶包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
使用碳化硅粉末的原料接觸所述種晶以進行晶體成長工藝，其中所述碳化硅粉末中的不純物小于0.5ppm；以及
通過所述晶體成長工藝形成晶體，并且對所述晶體進行切割以形成碳化硅晶片。
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述種晶中的所述第一面與所述第二面的基面差排缺陷的數量差異小于25％。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
