[發明專利]一種生長高純碳化硅單晶的方法及裝置在審
| 申請號： | 202110849974.7 | 申請日： | 2021-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN113550009A | 公開（公告）日： | 2021-10-26 |
| 發明（設計）人： | 陳榮坤;李文勇;馬敬軍;田茗文 | 申請（專利權）人： | 河北天達晶陽半導體技術股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 陳志海 |
| 地址： | 054800 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生長 高純 碳化硅 方法 裝置 | ||
1.一種生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，包括：依次連接構成循環的單晶爐體(10)、凈化系統(20)和循環系統(30)；
所述凈化系統(20)包括：溶劑吸附器；所述溶劑吸附器包括：水氣吸附機構、氧氣吸附機構和/或氮氣吸附機構；
所述循環系統(30)能夠使所述單晶爐體(10)與所述凈化系統(20)進行氣體交換。
2.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述溶劑吸附器包括：所述水氣吸附機構；
所述水氣吸附機構包括：分子篩(21)。
3.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述溶劑吸附器包括：所述氧氣吸附機構；
所述氧氣吸附機構包括：銅觸媒(22)。
4.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述溶劑吸附器包括：所述氮氣吸附機構；
所述氮氣吸附機構包括：鋯鋁合金(23)。
5.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述溶劑吸附器包括：所述水氣吸附機構、所述氧氣吸附機構和所述氮氣吸附機構中的至少兩種，且為并聯或串聯。
6.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述溶劑吸附器包括：沿氣體流動方向依次設置的所述水氣吸附機構、所述氧氣吸附機構和所述氮氣吸附機構。
7.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述溶劑吸附器還包括：用于為所述水氣吸附機構、氧氣吸附機構和/或氮氣吸附機構脫附的加熱裝置。
8.根據權利要求1所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述循環系統(30)包括：雜質分析儀和控制模塊；
所述控制模塊能夠在所述雜質分析儀的雜質含量下降到預設指標時，停止所述單晶爐體(10)與所述凈化系統(20)的氣體交換，關閉所述凈化系統(20)和所述循環系統(30)與所述單晶爐體(10)的通道。
9.根據權利要求8所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，其特征在于，所述雜質分析儀包括：水分析儀、氧分析儀和/或氮分析儀。
10.一種生長高純碳化硅單晶的方法，其特征在于，應用于如權利要求1-9任一項所述的生長高純碳化硅單晶的裝置，包括：
洗爐操作之后，打開凈化系統(20)和循環系統(30)與單晶爐腔體(10)的通道，使得所述單晶爐腔體(10)內與所述凈化系統(20)進行氣體交換；
凈化結束后，關閉凈化系統(20)和循環系統(30)與單晶爐體(10)的通道。
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