[發明專利]一系列多層高熵結構化合物及其制備方法

有效

• 申請號: 202110843491.6
• 申請日: 2021-07-26
• 公開（公告）號: CN113387335B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 陳洪祥;黃舒賢;李升;戴品強;林智杰;洪春福;常發
• 申請（專利權）人: 福建工程學院
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.多層高熵結構化合物的制備方法，其特征在于，所述的多層高熵結構化合物分子式表達為(HEM_B)_x(HEM_A)X₂，HEM_A、HEM_B分別為兩組高熵元素，HEM_B為Fe、Co、Cr、Ni、Mn、V、Cu、Ag、Zn中的任意四種或四種以上金屬元素的組合，元素比例為等比，HEM_B中的元素總量為x，0x≤1，

HEM_A為Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd、Pt中的任意四種或四種以上金屬元素的組合，其元素比例為等比或非等比，元素總量為1；

X為S、Se、Te元素中的一種或多種的組合；

所述制備方法包括以下步驟：

1)將HEM_A粉末與X元素粉末并按照1:2的比例混合均勻；

2)將混合均勻的粉末，放入真空石英管中，對石英管抽真空后密封，在高溫爐中進行燒結，燒結溫度800-1300℃，保溫20-36h后將石英管從爐中取出，淬火，得到單層高熵結構化合物(HEM_A)X₂；

3)將HEM_B粉末與上述(HEM_A)X₂在研缽中混合均勻得到粉體，然后將粉體裝入石英管中，真空密封后在高溫爐設備中進行二次煅燒，將溫度升至500℃-1200℃，保溫1-15天后，將石英管從高溫爐設備中取出，淬火，得到多層高熵結構化合物(HEM_B)_x(HEM_A)X₂。

2.根據權利要求1所述的多層高熵結構化合物的制備方法，其特征在于，步驟2)中，高溫爐升溫至800-1300℃的時間為200min-8h。

3.根據權利要求1所述的多層高熵結構化合物的制備方法，其特征在于，步驟2)和步驟3)中的猝火處理是將石英管放入水或冰水混合物中處理。

4.根據權利要求1所述的多層高熵結構化合物的制備方法，其特征在于，步驟3)中，HEM_B原料為任意四種或四種以上金屬單質粉末的機械混合物，或者已合金化的高熵合金粉末。

5.根據權利要求1所述的多層高熵結構化合物的制備方法，其特征在于，步驟3)中，二次煅燒時溫度升至800℃，保溫72h以上。