[發(fā)明專利]一種氫同位素低溫精餾低滯留再沸器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110843397.0
• 申請(qǐng)日: 2021-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN113559544A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳超;王鑫;王和義;彭述明;錢達(dá)志;黃洪文;肖成建;李佳懋;侯京偉;趙林杰;岳磊;付小龍;冉光明;陳曉軍;夏修龍;楊茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所
• 主分類號(hào): B01D3/32
• 分類號(hào): B01D3/32;B01D59/04;C01B4/00
• 代理公司: 成都帝鵬知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51265
• 代理人: 黎照西

1.一種氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：包括穩(wěn)定液氫液位的豎直設(shè)置的中心管(1)、液氫氣化部件(2)和氣液分離管(3)；所述中心管直徑10-50mm，中心管(1)上端頭設(shè)有作為再沸器與低溫精餾柱的接口的法蘭(4)；中心管(1)上下兩端均設(shè)有用于測(cè)量再沸器內(nèi)的液氫液位微壓差的液位計(jì)接口(5)；液氫氣化部件(2)包括液氣轉(zhuǎn)換腔室和加熱器(8)，液氫氣化部件(2)上端與中心管(1)上端通過氣液分離管(3)連通，液氫氣化部件(2)下部與中心管(1)下部通過液氫導(dǎo)管(7)連通；中心管(1)下端設(shè)有液氫采出管(6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述液氫氣化部件(2)為環(huán)形，并套設(shè)在所述中心管(1)外。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述液氫氣化部件(2)外徑50-200mm，環(huán)內(nèi)外面間距10-30mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述氣液分離管(3)設(shè)置四個(gè)并均勻環(huán)繞分布在所述中心管(1)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述再沸器上包裹多層打孔鍍鋁滌綸薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述加熱器(8)為可編程控制功率的電加熱器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述加熱器(8)上設(shè)置低溫溫度傳感器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述加熱器(8)加熱面由高導(dǎo)熱系數(shù)的材料制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述液氫氣化部件(2)底面由所述加熱器(8)加熱面組成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氫同位素低溫精餾低滯留再沸器，其特征在于：所述加熱器(8)加熱面為紫銅材質(zhì)，所述再沸器主體為316L不銹鋼。