[發明專利]一種基于ReSe2 在審
| 申請號： | 202110842986.7 | 申請日： | 2021-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN113611761A | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 肖靜;林志濤 | 申請（專利權）人： | 泰山學院 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州專才專利代理事務所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 林玲 |
| 地址： | 271000*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 rese base sub | ||
本發明提供了一種基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器，包括SiO2/Si基底以及設置于SiO2/Si基底上的對電極，所述對電極之間設置成溝道；所述溝道上設置有ReSe2/CsPbI3異質結層，且所述ReSe2/CsPbI3異質結層延伸至與對電極連接，所述ReSe2/CsPbI3異質結層包括二維ReSe2納米片以及設置于所述二維ReSe2納米片上的CsPbI3鈣鈦礦量子點。本發明基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器在可見光波段借助于CsPbI3鈣鈦礦量子點的光生電子效應表現出各向同性的特征，而在近紅外波段CsPbI3鈣鈦礦量子點可視作透明材料，借助于二硒化錸納米片的光生電子效應和各向異性效應，從而表現出各向異性特性。本發明還提供了基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器的制備方法。
技術領域
本發明涉及半導體電子器件領域，具體涉及一種基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器及其制備方法。
背景技術
二硒化錸(ReSe2)由于其獨特的晶體結構對稱性，表現出穩定的扭曲1T相和強烈的面內各向異性。ReSe2從單層到體材料的帶隙為1.3eV到1.1eV，這使得它成為在寬帶光區域構建高性能光電探測器的理想候選。此外，ReSe2的強面內各向異性特性也引起了開發高性能偏振光電探測器的廣泛關注。然而，與VI族TMD光電探測器應用相比，與ReSe2相關的光電探測器表現出較差的光響應性，并且關于二維ReSe2異質結光電探測器的報道很少。因此，將強光吸收材料與二維ReSe2相結合的方法對于實現寬帶光電探測器是有價值的。
發明內容
有鑒于此，本發明提供了一種基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器及其制備方法，以解決現有的光電探測器存在的光響應性能差、吸收能量弱、在可見光波段幾乎不產生光電效應等缺陷。
第一方面，本發明提供了一種基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器，包括SiO2/Si基底以及設置于SiO2/Si基底上的對電極，所述對電極之間設置成溝道；
所述溝道上設置有ReSe2/CsPbI3異質結層，且所述ReSe2/CsPbI3異質結層延伸至與對電極連接，所述ReSe2/CsPbI3異質結層包括二維ReSe2納米片以及設置于所述二維ReSe2納米片上的CsPbI3鈣鈦礦量子點。
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