[發(fā)明專利]電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110842427.6 | 申請日: | 2021-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN113572357B | 公開(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 祝文祥 | 申請(專利權(quán))人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158;H02J7/00 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 喬珊珊 |
| 地址: | 523863 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子設(shè)備 | ||
1.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括電源模塊、模式切換模塊和電源管理集成模塊;
所述電源模塊、所述模式切換模塊和所述電源管理集成模塊依次電連接,所述模式切換模塊處于所述電源模塊和所述電源管理集成模塊之間;
其中,所述模式切換模塊用于將所述電子設(shè)備在第一模式和第二模式之間切換,在所述第一模式下,所述模式切換模塊處于斷路狀態(tài),所述電源模塊與所述電源管理集成模塊的連接斷開;在所述第二模式下,所述模式切換模塊處于通路狀態(tài),所述電源模塊與所述電源管理集成模塊的連接導通;
所述模式切換模塊包括升壓組件和場效應晶體管,所述升壓組件和所述場效應晶體管連接,所述升壓組件用于控制所述場效應晶體管中源極和漏極之間的通斷;
所述源極和所述漏極中的一者與所述電源模塊連接,另一者與所述電源管理集成模塊連接;
在所述升壓組件與外接電源連接后,所述升壓組件被激活,所述場效應晶體管導通,所述電源模塊和所述電源管理集成模塊連通;
在所述升壓組件與外接電源斷開后,所述場效應晶體管維持導通,所述電源模塊和所述電源管理集成模塊保持連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備還包括處理器,所述處理器與所述模式切換模塊連接,所述處理器用于控制所述模式切換模塊的通斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述漏極與所述電源模塊連接,所述源極與所述電源管理集成模塊連接;
或者,所述源極與所述電源模塊連接,所述漏極與所述電源管理集成模塊連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述升壓組件的輸入端與所述場效應晶體管的源極連接,所述升壓組件的輸出端與所述場效應晶體管的柵極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述升壓組件為升壓芯片或者分離式升壓電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述升壓組件的輸入端電壓為Vin,所述升壓組件的使能電平為EN,所述升壓組件的輸出端電壓為Vout,所述電源管理集成模塊的電壓為Vbat,所述場效應晶體管的閾值電壓為Vth,所述場效應晶體管中柵極與源極之間的電壓為Vgs;
在所述升壓組件與外接電源連接后,Vin=EN=Vbat,且Vout>Vin+Vth,所述電源管理集成模塊產(chǎn)生激活電壓,所述升壓組件工作;此時,Vout-Vbat=Vgs>Vth,所述源極和所述漏極導通,所述電源模塊和所述電源管理集成模塊連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述源極和所述漏極上并聯(lián)設(shè)置有二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述場效應晶體管的所述柵極與接地端連接,所述柵極與所述接地端之間設(shè)置有電阻。
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H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的;由機電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





