[發(fā)明專利]一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110841658.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113418618A | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉芳梅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 湖北科技學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | G01J9/00 | 分類號(hào)： | G01J9/00 |
| 代理公司： | 咸寧鴻信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 42249 | 代理人： | 劉喜 |
| 地址： | 437100 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 位移 靈敏度 光波 傳感器 | ||
1.一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器，其特征在于，高靈敏度光波長傳感器的光子晶體包括石墨烯單層(G)，所述石墨烯單層(G)的入射側(cè)設(shè)置有第一周期性晶體，所述石墨烯單層(G)的出射側(cè)設(shè)置有第二周期性晶體，所述石墨烯單層(G)與第一周期性晶體之間、石墨烯單層(G)與第二周期性晶體之間分別嵌入有一缺陷層(E)；所述第一周期性晶體包括交替分布的若干第一電介質(zhì)層(A)和若干第二電介質(zhì)層(B)，所述第二周期性晶體包括交替分布的若干第三電介質(zhì)層(C)和若干第四電介質(zhì)層(D)；整個(gè)結(jié)構(gòu)為(AB)NEGE(CD)N，N為布拉格周期數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器，其特征在于，所述第一電介質(zhì)層(A)為氟化鎂。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器，其特征在于，所述缺陷層(E)為氟化鎂。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器，其特征在于，所述第二電介質(zhì)層(B)為硫化鋅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器，其特征在于，所述第三電介質(zhì)層(C)為硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種基于古斯-漢森位移的高靈敏度光波長傳感器，其特征在于，所述第二電介質(zhì)層(B)為二氧化硅。
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