[發(fā)明專利]一種N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110837884.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113745106A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郎芳;張偉;王子謙;李青娟;張磊;李鋒;史金超;李龍;田思;陳志軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英利能源(中國(guó))有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/311 | 分類號(hào): | H01L21/311;H01L21/3213;H01L31/18 |
| 代理公司: | 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人: | 張沙沙 |
| 地址: | 071051 河*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 topcon 電池 正面 去除 方法 | ||
1.一種N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一,將經(jīng)過(guò)背面超薄氧化硅及多晶硅沉積和背面磷摻雜后的硅片的正面浸入HF與HNO3的混合酸溶液中進(jìn)行酸洗,酸洗時(shí)間為1~10min;
步驟二,將經(jīng)過(guò)酸洗后的硅片整體浸入濃度為0.5wt%~5wt%堿溶液中進(jìn)行堿洗,堿洗時(shí)間為1~15min;
步驟三,將經(jīng)過(guò)堿洗的硅片浸入濃度為5%~10%v/v的HF溶液中清洗,清洗時(shí)間為1~10min。
2.如權(quán)利要求1所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于:所述混合酸溶液中HF、HNO3和去離子水的體積比為2~10:125~135:65,所述清洗時(shí)間為2~8min。
3.如權(quán)利要求2所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于:所述混合酸溶液中HF、HNO3和去離子水的體積比為4~10:128~130:65,所述清洗時(shí)間為3~5min。
4.如權(quán)利要求1所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于:步驟二中,所述堿溶液為KOH水溶液或NaOH水溶液。
5.如權(quán)利要求4所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于:所述堿溶液的濃度為2wt%~4wt%。
6.如權(quán)利要求5所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于:所述堿溶液的溫度為50~80℃,所述堿洗時(shí)間為2~10min。
7.如權(quán)利要求1所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法,其特征在于:步驟三中,所述HF溶液的濃度為5%~8%v/v,所述清洗時(shí)間為2~6min。
8.權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的N型TOPCon電池正面繞鍍的去除方法在制備N型TOPCon電池中的應(yīng)用。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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